[发明专利]微流控通道、微流控芯片及制备囊泡的方法有效
申请号: | 202010147762.X | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111286456B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 杜亚楠;赵鹏 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C12M1/33 | 分类号: | C12M1/33;C12M1/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张立 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微流控 通道 芯片 制备 方法 | ||
1.一种制备囊泡的方法,其特征在于,包括:
利用微流控通道或者微流控芯片对细胞进行处理;
所述微流控通道包括:
入口;
破碎区,所述破碎区与所述入口相连,所述破碎区通过第一衔接区域与所述入口相连,所述破碎区包括至少一个挤压通道和至少一个破碎通道,一个所述挤压通道分别和至少一个所述破碎通道相连,所述挤压通道设定为第一预定宽度,所述破碎通道设定为第二预定宽度,所述第一预定宽度大于所述第二预定宽度;
出口,所述出口通过第二衔接区域与所述破碎区相连;
所述微流控芯片包括:
基板;和
微流控通道,所述微流控通道形成在所述基板上;
所述第一预定宽度为5~20微米,所述第二预定宽度为1~5微米,
所述每一个所述挤压通道之间设置有缓冲区,所述缓冲区的宽度为所述第一预定宽度的至少3倍。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衔接区域包括至少两个入口流道,所述入口通过所述至少两个入口流道与所述破碎区相连。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述入口与至少两个第一入口流道相连,每一个所述第一入口流道与至少两个第二入口流道相连,所述第二入口流道与所述破碎区相连。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二衔接区域包括至少两个出口流道,所述破碎区通过所述至少两个出口流道与所述出口相连。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述出口与至少两个第一出口流道相连,每一个所述第一出口流道与至少两个第二出口流道相连,所述第二出口流道与所述破碎区相连。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二预定宽度为1~5微米。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二预定宽度为2~5微米。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二预定宽度为2.5~5微米。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述缓冲区的宽度为30~40微米。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每一个所述挤压通道之间设置有两个所述缓冲区,所形成的每段挤压通道的长度为35~200微米。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述破碎区包括32~128个挤压通道和64~256个所述破碎通道,每一个所述挤压通道之间设置有两个缓冲区。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衔接区域的长度为1~10毫米;所述第一衔接区域的宽度为0.15~0.5毫米。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二衔接区域的长度为1~10毫米;所述第二衔接区域的宽度为0.2~0.5毫米。
14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衔接区域的长度为1.8~8毫米;所述第一衔接区域的宽度为0.2~0.4毫米。
15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二衔接区域的长度为1.2~10毫米;所述第二衔接区域的宽度为0.3~0.4毫米。
16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微流控通道进一步包括:
筛选区,所述筛选区分别与所述入口和所述破碎区相连,所述筛选区内设置有阻隔物,所述阻隔物在所述筛选区形成预定间隙通道。
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