[发明专利]一种中央部分去除的玻璃载板有效
| 申请号： | 202010148379.6 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111446193B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中央 部分 去除 玻璃 | ||
1.一种中央部分去除的玻璃载板，其特征在于，所述玻璃载板(1)中央部分去除后形成凹面(11)，去除的方法包括腐蚀加工，凹面(11)外侧端形成边缘保护环(12)；
所述凹面(11)最薄处厚度为20μm～200μm；
所述玻璃载板(1)侧端设置有晶圆(3)，玻璃载板(1)和晶圆(3)之间设置有键合层(2)；
玻璃载板和晶圆的双面电镀工艺包括以下步骤：
S1、使用键合层(2)将晶圆(3)键合在玻璃载板(1)上；
S2、对晶圆(3)的背面进行减薄；
S3、晶圆(3)背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离清洗制程；
S4、以氢氟酸蚀刻玻璃载板(1)中央部分，形成边缘保护环(12)结构的玻璃载板(1)；
S5、使用氧气电浆蚀刻去除在玻璃载板(1)及晶圆(3)中间的键合层(2)；
S6、然后对晶圆(3)进行同时双面金属沉积电镀工艺；
S7、使用镭射的方法分离玻璃载板(1)，进行后续生产制造工艺。
2.根据权利要求1所述的一种中央部分去除的玻璃载板，其特征在于，所述玻璃载板(1)的厚度为200μm～700μm。
3.根据权利要求1所述的一种中央部分去除的玻璃载板，其特征在于，所述边缘保护环(12)的宽度为3mm～10mm。
4.根据权利要求1所述的一种中央部分去除的玻璃载板，其特征在于，所述玻璃载板(1)和晶圆(3)同心分布，晶圆(3)的厚度为20μm～300μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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