[发明专利]N沟道的沟槽型VDMOS和沟槽型IGBT在审
| 申请号： | 202010148527.4 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363322A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王学良;闵亚能;刘建华;郎金荣 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 沟槽 vdmos igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种N沟道的沟槽型VDMOS，包括p base区，其特征在于，所述p base区的沟道内埋有至少一个n岛，所述n岛为n型区，所述n型区采用n型半导体元素形成。
2.如权利要求1所述的N沟道的沟槽型VDMOS，其特征在于，所述n型半导体元素包括氢元素、五族元素中的至少一种。
3.如权利要求1所述的N沟道的沟槽型VDMOS，其特征在于，所述p base区的沟道内埋有多个所述n岛，多个所述n岛间隔设置。
4.如权利要求3所述的N沟道的沟槽型VDMOS，其特征在于，每个所述n岛采用氢元素、五族元素中的至少一种形成。
5.一种N沟道的沟槽型IGBT，包括p base区，其特征在于，所述p base区的沟道内埋有至少一个n岛，所述n岛为n型区，所述n型区采用n型半导体元素形成。
6.如权利要求5所述的N沟道的沟槽型IGBT，其特征在于，所述n型半导体元素包括氢元素、五族元素中的至少一种。
7.如权利要求5所述的N沟道的沟槽型IGBT，其特征在于，所述p base区的沟道内埋有多个所述n岛，多个所述n岛间隔设置。
8.如权利要求7所述的N沟道的沟槽型IGBT，其特征在于，每个所述n岛采用氢元素、五族元素中的至少一种形成。
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