[发明专利]存储设备、操作存储设备的方法及存储系统

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

存储单元阵列，包括第一存储区域和第二存储区域；

信号线，被配置为从位于所述存储设备外部的源接收命令和地址；

模式选择器电路，被配置为基于与所述命令一起接收的地址生成用于控制所述存储设备进入内部处理模式的处理模式选择信号；

命令转换器电路，被配置为响应于所述处理模式选择信号的激活将接收到的所述命令转换为内部处理操作命令；以及

内部处理器，被配置为在所述内部处理模式下响应于所述内部处理操作命令在所述第一存储区域上执行内部处理操作。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述信号线与存储器物理层接口连接，所述存储器物理层接口支持双倍数据速率DDR协议或低功率双倍数据速率LPDDR协议，并且所述存储器物理层接口位于所述存储设备外部。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述模式选择器电路响应于特定地址生成所述处理模式选择信号，所述特定地址包括在与所述命令一起接收的地址中，并且将所述第一存储区域和所述第二存储区域彼此区分。

4.根据权利要求3所述的存储设备，其中

所述存储单元阵列包括堆叠存储层，

所述堆叠存储层包括公共通道、硅通孔和与所述硅通孔电连接的电极焊盘，并且在所述公共通道中，根据堆叠标识信号选择性地访问属于所述第一存储区域的堆叠存储层和属于所述第二存储区域的堆叠存储层，以及

所述特定地址包括用于访问属于所述第一存储区域的堆叠存储层的堆叠标识信号。

5.根据权利要求3所述的存储设备，其中

所述存储单元阵列包括堆叠存储层，

所述堆叠存储层包括公共通道、硅通孔和与所述硅通孔电连接的电极焊盘，并且在所述公共通道中，根据通道地址选择性地访问属于所述第一存储区域的堆叠存储层和属于所述第二存储区域的堆叠存储层，以及

所述特定地址包括用于访问属于所述第一存储区域的堆叠存储层的通道地址。

6.根据权利要求3所述的存储设备，其中

所述存储单元阵列包括多个存储体，

在所述存储体中，根据存储体地址选择性地访问属于所述第一存储区域的存储体和属于所述第二存储区域的存储体，以及

所述特定地址包括用于访问属于所述第一存储区域的存储体的存储体地址。

7.根据权利要求3所述的存储设备，其中，通过所述特定地址将所述第一存储区域和所述第二存储区域设置为固定区域。

8.根据权利要求3所述的存储设备，其中，通过所述特定地址将所述第一存储区域和所述第二存储区域设置为可变区域。

9.根据权利要求3所述的存储设备，其中，当与所述命令一起接收的地址中不包括所述特定地址时，所述模式选择器电路去激活所述处理模式选择信号，使得所述存储设备进入普通模式。

10.根据权利要求1所述的存储设备，其中

所述存储设备通过所述信号线顺序接收第一命令，并顺序接收与顺序接收的所述第一命令分别对应的地址，以及

所述模式选择器电路确定顺序接收的地址是否与内部处理模式进入码和内部处理模式退出码一致，并基于所述确定的结果生成所述处理模式选择信号。

11.根据权利要求10所述的存储设备，其中，当所述顺序接收的地址与所述内部处理模式进入码一致，并且所述顺序接收的地址与所述内部处理模式退出码不一致时，所述模式选择器电路激活所述处理模式选择信号。

12.根据权利要求10所述的存储设备，其中，当所述顺序接收的地址与所述内部处理模式进入码不一致时，或者当所述顺序接收的地址与所述内部处理模式退出码一致时，所述模式选择器电路去激活所述处理模式选择信号，使得所述存储设备进入普通模式。