[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括多个像素，所述多个像素中的至少一个包括：

光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及

像素电路，包括：存储晶体管，被配置为存储由所述光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在所述存储晶体管与浮置扩散节点之间，

其中，当所述转移晶体管处于关断状态时，所述存储晶体管与所述转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当所述转移晶体管处于接通状态时，所述存储晶体管与所述转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于所述第一电势的第二电势。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述转移晶体管的栅极包括朝向所述存储晶体管突出的第一栅极区域和连接到所述第一栅极区域的第二栅极区域，并且

其中，所述第一栅极区域设置在所述边界区域上。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述转移晶体管的第一栅极区域设置在所述存储晶体管的有源区域的至少一部分上。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在所述转移晶体管中，所述第一栅极区域的宽度小于所述第二栅极区域的宽度。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述存储晶体管的栅极提供容纳所述转移晶体管的所述第一栅极区域的空间。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述存储晶体管的有源区域包括：

与所述第一栅极区域相邻的第一杂质区域，以及

杂质浓度低于所述第一杂质区域的杂质浓度的第二杂质区域。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，在所述存储晶体管中，所述第一杂质区域由所述第二杂质区域围绕。

8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述存储晶体管的第一杂质区域的至少一部分设置在所述转移晶体管的所述第一栅极区域下方。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述存储晶体管的有源区域包括：

与所述转移晶体管的栅极相邻的第一杂质区域，以及

杂质浓度低于所述第一杂质区域的杂质浓度的第二杂质区域，并且

所述第一杂质区域设置在所述边界区域上。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，在所述存储晶体管中，所述第一杂质区域的面积小于所述第二杂质区域的面积。

11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述像素电路还包括连接在所述光电二极管与所述存储晶体管之间的中间转移晶体管，并且

其中，所述中间转移晶体管的有源区域包括第三杂质区域和第四杂质区域，所述第三杂质区域与所述存储晶体管相邻，所述第四杂质区域的杂质浓度低于所述第三杂质区域的杂质浓度。

12.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述像素电路还包括连接在所述光电二极管与第一电源节点之间的溢出晶体管，以及

其中，所述溢出晶体管的有源区域包括第五杂质区域和第六杂质区域，所述第五杂质区域与所述第一电源节点相邻，所述第六杂质区域的杂质浓度低于所述第五杂质区域的杂质浓度。

13.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个像素中的每一个包括像素电路，所述像素电路包括所述存储晶体管和所述转移晶体管，以及

其中，所述多个像素共享所述光电二极管。

14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述多个像素中的至少一个包括转移栅极，所述转移栅极包括朝向所述存储晶体管突出的第一栅极区域和连接到所述第一栅极区域的第二栅极区域。