[发明专利]图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法

权利要求书

1.一种图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，其特征在于，通过灵活选择隔直电容的电容类型、电容值大小以及版图布局，使得像素单元的输出信号端耦合至容值密度较高、耐压值较低的第一电容，参考信号端耦合至容值密度较低、耐压值较高的第二电容，以实现输出信号和参考信号在列处理模块的隔直。

2.如权利要求1所述的图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，其特征在于，所述第一电容的电容值大于等于第二电容的电容值，从而节省电路设计面积，优化图像传感器的性能。

3.如权利要求1所述的图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，其特征在于，所述第一电容与第二电容的版图布局采用不对称设计。

4.如权利要求1所述的图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，其特征在于，所述第一电容与第二电容的类型为MIM电容、MOM电容、沟槽电容、PIP电容、薄氧MOS电容、厚氧MOS电容中任意一种。

5.如权利要求4所述的图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，其特征在于，所述第一电容为薄氧MOS电容，所述第二电容为厚氧MOS电容。

6.如权利要求4所述的图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，其特征在于，所述薄氧MOS电容为逻辑器件，所述厚氧MOS电容为输入输出器件。