[发明专利]智能功率模块及其检测电路、空调器

权利要求书

1.一种智能功率模块的检测电路，其特征在于，包括：比较电路、开关管、第一分压电路、第二分压电路、采样电路和控制器，所述比较电路的第一输入端连接所述智能功率模块，所述比较电路的第二输入端连接外部电源，所述比较电路的输出端连接开关管的控制端，所述第一分压电路连接外部电源，所述第一分压电路连接所述开关管的第一端，所述开关管的第二端连接所述采样电路和所述第二分压电路，所述第二分压电路连接所述智能功率模块的过流检测引脚，所述第二分压电路接地，所述采样电路连接所述控制器，

所述比较电路用于根据所述第一输入端和所述第二输入端输入的电压得到对应电平控制所述开关管的通断；所述采样电路用于采集所述开关管的第二端的采样电压并发送至所述控制器；所述控制器用于根据所述采样电压和预设电压得到所述智能功率模块是否过流以及所述过流检测引脚是否短路的信息。

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括充放电电路，所述比较电路的输出端通过所述充放电电路连接所述开关管的控制端。

3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述充放电电路包括电阻R6、电容C3和电阻R11，所述电阻R6的一端连接所述电容C3的一端和所述电阻R11的一端，所述电容C3的另一端连接所述电阻R11的另一端并接地，所述电阻R11的一端连接开关管的控制端。

4.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述比较电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2和比较器，所述电阻R1的一端连接所述电阻R3的一端且公共端连接所述智能功率模块，所述电阻R1的另一端接地，所述电阻R3的另一端连接所述电容C2的一端和所述比较器的同相输入端，所述电容C2的另一端连接所述比较器的接地端并接地，所述电阻R2的一端接地，所述电阻R2的另一端连接所述电阻R4的一端和所述比较器的反向输入端，所述电阻R4的另一端连接所述比较器的电源端、所述电阻R5的一端和所述电容C1的一端，所述比较器的输出端连接所述电阻R5的另一端和所述开关管的控制端，所述电容C1的一端连接外部电源，所述电容C1的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第一分压电路包括电阻R7，所述电阻R7的一端连接所述开关管的第一端，所述电阻R7的另一端连接外部电源。

6.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第二分压电路包括电阻R9、电阻R10和电容C6，所述电阻R9的一端连接所述电阻R10的一端和所述开关管的第二端，所述电阻R9的另一端接地，所述电阻R10的另一端连接所述电容C6的一端，所述电容C6的另一端接地，所述电容C6的一端连接智能功率模块的过流检测引脚。

7.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述采样电路包括电阻R8和电容C5，所述电阻R8的一端连接所述开关管的第二端，所述电阻R8的另一端连接所述电容C5的一端和所述控制器，所述电容C5的另一端接地。

8.根据权利要求1-7任一项所述的检测电路，其特征在于，所述开关管为晶体三极管或金属-氧化物-半导体场效应晶体管。

9.一种智能功率模块，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的检测电路。

10.一种空调器，其特征在于，包括权利要求9所述的智能功率模块。