[发明专利]三相电压不平衡治理电路拓扑结构

权利要求书

1.一种三相电压不平衡治理电路拓扑结构，其特征在于，包括电源系统、电力变压器、三相全桥整流电路、三相四桥臂逆变电路、含单相光伏的三相不平衡负载，所述电源系统、电力变压器、三相全桥整流电路、三相四桥臂逆变电路、含单相光伏的三相不平衡负载依次连接，所述电源系统与电力变压器相连构成三线系统，电力变压器与三相全桥整流电路输入端连接构成交流三相四线系统，其中N线接地，三相全桥整流电路输出端与三相四桥臂逆变电路输入端通过直流电路相连，三相四桥臂逆变电路输出端与含单相光伏的三相不平衡负载相连构成交流三相四线系统。

2.根据权利要求1所述的三相电压不平衡治理电路拓扑结构，其特征在于，所述三相全桥整流电路包括六个晶闸管KP1-KP6，晶闸管KP1的一端与晶闸管KP4的一端连接，晶闸管KP3的一端与晶闸管KP6的一端连接，晶闸管KP5的一端与晶闸管KP2的一端连接，晶闸管KP1的另一端、晶闸管KP3的另一端以及晶闸管KP5的另一端连接在一起作为输出端，晶闸管KP4的另一端、晶闸管KP6的另一端以及晶闸管KP2的另一端连接在一起作为另一个输出端，晶闸管KP1与晶闸管KP4的连接线接a相，晶闸管KP3和KP6的连接线接b相，晶管KP5和KP2的连接线接c相，晶闸管KP1、KP3、KP5组成共阴极组，晶闸管KP2、KP4、KP6组成共阳极组。

3.根据权利要求1所述的三相电压不平衡治理电路拓扑结构，其特征在于，所述三相四桥臂逆变电路包括八个绝缘栅双极型晶体管IGBT Q1-Q8，绝缘栅双极型晶体管IGBT Q1、IGBT Q2相连构成第一桥臂，且二者相连端接于a相，绝缘栅双极型晶体管IGBT Q3、IGBT Q4相连构成第二桥臂，且二者相连端接于b相，绝缘栅双极型晶体管IGBT Q5、IGBT Q6相连构成第三桥臂，且二者相连端接于c相，绝缘栅双极型晶体管IGBT Q7、IGBT Q8相连构成第四桥臂，且二者相连端接于n相。