[发明专利]电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法

说明书

本申请涉及电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成竖向穿过包括第一材料和第二材料的堆叠的结构的阵列。所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影。能量被引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口，所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造在个体存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，并且字线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线和字线的组合对每个存储器单元进行唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器是耗散的，并且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两个不同可选状态中保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个体存储器单元可经配置以存储两个以上水平或状态的信息。

电容器是可用于存储器单元中的另一类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。能量如电场可以静电方式存储在此类材料内。取决于绝缘体材料的组成，所述存储的场将是易失性的或非易失性的。举例来说，仅包含SiO₂的电容器绝缘体材料将是易失性的。一种类型的非易失性电容器是铁电电容器，所述铁电电容器具有铁电材料作为绝缘材料的至少部分。铁电材料的特征在于具有两个稳定极化状态且由此可包括电容器和/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过施加合适的编程电压来改变，且在移除编程电压之后保持(至少持续一定时间)。每个极化状态具有彼此不同的电荷存储电容，所述电荷存储电容理想地可用于对存储器状态进行写入(即，存储)和读取而不逆转极化状态直到期望逆转此类极化状态为止。不太期望地，在具有铁电电容器的某一存储器中，读取存储器状态的行为可以逆转极化。因此，在确定极化状态之后，对存储器单元进行重新写入以紧接在极化状态的确定之后将存储器单元放置到预读取状态中。无论如何，由于形成电容器的一部分的铁电材料的双稳态特性，因此并入有铁电电容器的存储器单元理想地是非易失性的。其它可编程材料可被用作电容器绝缘体以使电容器为非易失性的。无论如何，电容器的制造中的典型目标是最大化电容器电极的表面区域以最大化个体电容器的电容。

当然电容器和晶体管可以在除存储器电路之外的集成电路中使用。此外，除电容器和/或晶体管之外的结构的阵列(电路操作性或非操作性)可以是集成的部分。

发明内容

本发明的一些实施例提供了用于形成集成电路的方法，所述方法包含形成竖向穿过包括第一材料以及第二材料的堆叠的结构的阵列，所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影；以及将能量引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口，所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。