[发明专利]图像传感器封装件及其制造方法

说明书

本发明公开一种图像传感器封装件及其制造方法。图像传感器封装件包括重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于重配置线路结构上且具有传感面，其中传感面上配置有传感区以及第一导电柱，第一导电柱配置在传感区旁的周围区域；盖体，覆盖传感区；包封体，配置于重配置线路结构上且包封图像传感器芯片与盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于图像传感器芯片上方且上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中第一导体在与传感面垂直的方向上与图像传感器芯片交叠，其中第一导电柱与第一导体彼此对准并接合以电连接图像传感器芯片与上部半导体芯片。

技术领域

本发明涉及一种半导体芯片封装件及其制造方法，且特别是涉及一种图像传感器封装件及其制造方法。

背景技术

随着数字时代的来临，图像传感器已逐渐被应用于人们的生活中，诸如智能手机、数字照相机、监视器等。为了使图像传感器同时具有轻薄体积以及高性能，目前的封装技术已尝试将半导体芯片整合于图像传感器封装件中。然而，研发人员在将半导体芯片整合于图像传感器封装件时，多半会面临半导体芯片与图像传感器芯片之间的信号沟通速度受限，进而导致图像传感器的整体效能仍有待进一步的提升。

发明内容

本发明提供一种效能良好的图像传感器封装件。

本发明提供一种图像传感器封装件，包括重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于所述重配置线路结构上且具有传感面，其中所述传感面上配置有传感区以及第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于所述图像传感器芯片上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述图像传感器芯片交叠，且所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述图像传感器芯片与所述上部半导体芯片。

本发明提供一种图像传感器封装件，包括重配置线路结构；半导体元件，配置于所述重配置线路结构上，所述半导体元件包括图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有传感面，所述传感面上配置有传感区与第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于所述半导体元件上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述半导体元件交叠，且所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述半导体元件与所述上部半导体芯片。

本发明提供一种制造图像传感器封装件的方法，包括：在重配置线路结构上设置图像传感器芯片，其中所述图像传感器芯片的传感面上配置有盖体与第一导电柱且所述第一导电柱在传感面上环绕所述盖体；在所述重配置线路结构上设置包封体以包封所述图像传感器芯片；执行平坦化工艺以使所述第一导电柱及所述盖体自所述包封体暴露出来；以及于所述包封体上设置上部半导体芯片以使得所述上部半导体芯片的第一导体与所述第一导电柱接合，所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述图像传感器芯片交叠。

基于上述，本发明的图像传感器封装件可以提升图像传感器封装件的整体效能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A至图1H是本发明的一实施例的制造图像传感器封装件的制造流程步骤的剖面示意图；

图2是本发明的一实施例的图像传感器封装件的剖面示意图；

图3是本发明的另一实施例的图像传感器封装件的剖面示意图。

附图标号说明