[发明专利]一种碳化硅晶体的生长方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将碳化硅粉末放入坩埚中，加热至2000-2100℃，升温速率200-400℃/h，保温0.5-1h，最后以50-100℃/h降至室温，得到物质A；

（2）将物质A放入含有籽晶的坩埚内，加热坩埚使物质A升华后再结晶，得到碳化硅晶体；

所述碳化硅粉末由粒径为20-25μm、23-27μm和26-30μm的粒子组成，三者质量比为1-2:2-3:1；

所述生长方法还包括将所述碳化硅粉末进行预处理；所述预处理具体工艺为将碳化硅粉末先用丙酮清洗，温度40-45℃，再用氯仿清洗，调节pH 3-5，温度50-55℃；

所述步骤（1）中保温0.5-1h后，再降温至1600-1800℃，降温速率50-100℃/h，保温0.5-1h，然后升温至2000-2100℃，升温速率100-200℃/h，保温1-2h，最后以50-100℃/h降至室温，得到物质A。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述步骤（2）中在1800-2300℃加热坩埚使物质A升华后再结晶，结晶后将坩埚的降温速率控制在30-50℃/h，得到碳化硅晶体。

3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤（2）中在所述加热坩埚前在所述物质A表面装填一层粉末，所述粉末为碳化物和氮化物的混合粉末。

4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述碳化物为碳化钛、碳化铌、碳化钨中的至少一种，所述氮化物为氮化镓。

5.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述碳化物和氮化物的质量比2-4:1。