[发明专利]一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉

权利要求书

1.一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，包括：采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控，获得若干组所述引晶晶体直径的测试值；取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较；再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内。

2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，当较大的所述测试值大于所述标准值时，提升所述拉晶速度，直至获得的所述测试值在所述标准值范围内。

3.根据权利要求1所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，当较大的所述测试值小于所述标准值时，降低所述拉晶速度，直至获得的所述测试值在所述标准值范围内。

4.根据权利要求2或3所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，所述测试值为所述CCD监控籽晶熔接外径所在投影环上的亮度区端点直线距离与所述CCD测试校准系数之积。

5.根据权利要求4所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，所述CCD测试校准系数为0.05-0.15。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，所述引晶晶体直径的标准值为4.5-5.5mm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，在所述引晶过程中，所述拉晶速度范围为220-350mm/hr。

8.根据权利要求1-7任一项所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，所述引晶晶体的高度不小于采用所述引晶工艺获得的单晶等径直径；所述单晶等径直径为240-310mm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种直拉单晶引晶工艺，其特征在于，所述CCD数量为两个。

10.一种用于上述权利要求1-9任一项所述的引晶工艺的单晶炉，其特征在于，包括若干设置在所述单晶炉上的所述CCD，所述CCD用于所述引晶工艺对所述引晶晶体直径进行同步监控。