[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

多个导电层，配设在与所述衬底的表面交叉的第1方向，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；

多个绝缘层，分别设置在所述多个导电层之间；

半导体层，在所述第1方向延伸，与所述多个导电层及所述多个绝缘层对向；及

栅极绝缘层，设置在所述多个导电层与所述半导体层之间；

且具有：

所述衬底上的第1区域，形成所述多个导电层、所述多个绝缘层、所述半导体层及所述栅极绝缘层；及

所述衬底上的与所述第1区域不同的第2区域；

所述多个导电层包含多个第1导电层及多个第2导电层，

所述半导体存储装置在所述第2区域的与所述多个第1导电层相同的层具备与所述第1导电层不同的多个第1膜，且

在所述第2区域的与所述多个第2导电层相同的层具备与所述第2导电层及所述第1膜不同的多个第2膜。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在所述第2区域的多层第1膜之间配设着至少一层第2膜，在所述第2区域的多层第2膜之间配设着至少一层第1膜。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜及所述第2膜中的任一个是多晶硅。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜及所述第2膜中的任一个是SiN。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜及所述第2膜中的一个是多晶硅，且

所述第1膜及所述第2膜中的另一个是SiN。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第2区域中，所述第1膜与所述第2膜交替配设在所述第1方向，在所述第1膜与所述第2膜之间包含配设所述绝缘层的部分。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层还包含多个第3导电层，

所述半导体存储装置在所述第2区域的与所述多个第3导电层相同的层具备与所述第3导电层、所述第1膜及所述第2膜不同的多个第3膜。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具有所述衬底上的所述第1区域及所述第2区域之间的第3区域，

所述多个第1导电层遍及所述第1区域及所述第3区域设置，

所述多个第2膜遍及所述第2区域及所述第3区域设置。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述栅极绝缘层包含能够根据电荷量存储数据的电荷储存层。

10.一种半导体存储装置的制造方法，

形成积层构造，所述积层构造在与衬底的表面交叉的第1方向交替配设有多个牺牲层与多个绝缘层，所述多个牺牲层包含在与所述第1方向交叉的第2方向延伸的多个第1膜及多个第2膜，

形成半导体层及栅极绝缘层，所述半导体层在所述积层构造内于所述第1方向延伸，与所述多个牺牲层及所述多个绝缘层对向，

在形成所述半导体层及所述栅极绝缘层后，去除所述第1膜，由此在所述第1膜的两侧的所述多个绝缘层之间形成多个第1空洞，

在所述多个第1空洞形成多个第1导电层，

在形成所述第1导电层后，去除所述第2膜，由此在所述第2膜的两侧的所述多个绝缘层之间形成多个第2空洞，

在所述多个第2空洞形成多个第2导电层。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置的制造方法，其中

所述第1膜及所述第2膜中的任一个是多晶硅。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置的制造方法，其中

所述第1膜及所述第2膜中的任一个是SiN。