[发明专利]一种可改善n型欧姆接触的深紫外LED外延片在审
| 申请号： | 202010150814.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111244234A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 崔志勇;张晓娜;张向鹏 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 欧姆 接触 深紫 led 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，其特征在于，所述外延片包括：
衬底；
AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层，形成在所述衬底上；
N极半导体层，所述N极半导体层包括第一n-AlGaN层、n-GaN层以及第二n-AlGaN层；所述第一n-AlGaN层、n-GaN层和第二n-AlGaN层从所述超晶格应力缓冲层向上依次设置。
2.根据权利要求1所述的一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，其特征在于，所述衬底和所述AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层之间形成有氮化铝模板层。
3.根据权利要求1和2所述的一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，其特征在于，在所述第二n-AlGaN层上形成有多量子肼结构层。
4.根据权利要求3所述的一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，其特征在于，在多量子肼结构层上依次形成p型AlGaN电子阻挡层；在p型AlGaN电子阻挡层上形成p型GaN空穴传导层。
5.一种可改善深紫外LED外延片N型欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法制造如权利要求1-4中任一项所述的深紫外LED外延片；所述第一n-AlGaN层、n-GaN层和第二n-AlGaN层从所述超晶格应力缓冲层向上依次形成。
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