[发明专利]阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法

权利要求书

1.一种阻变式存储器，其特征在于，包括顶电极、底电极和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极之间，所述阻变层为金属氧化物层，所述顶电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分之内，所述第一部分与所述阻变层相接触并位于所述阻变层的设定位置处，所述第一部分能够与所述阻变层中的氧相结合，所述第一部分与氧的结合能力强于所述第二部分与氧的结合能力。

2.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述第一部分为多个，多个所述第一部分沿设定方向间隔排列，相邻两个所述第一部分之间具有设定距离。

3.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述第一部分为长方体或立方体，所述第一部分的第一表面与所述阻变层相贴合。

4.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述第一部分为钛材质。

5.根据权利要求4所述的阻变式存储器，其特征在于，所述第二部分为氮化钛材质。

6.一种阻变式存储器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底层上沉积形成底电极；

在底电极上沉积形成阻变层，所述阻变层为金属氧化物层；

在阻变层上沉积待加工层；

对所述待加工层进行刻蚀以在所述阻变层的设定位置处形成第一部分，所述第一部分能够与所述阻变层中的氧相结合；

在阻变层上沉积形成第二部分并使所述第一部分位于所述第二部分内，以使所述第一部分和第二部分构成顶电极，所述第一部分与氧的结合能力强于所述第二部分与氧的结合能力。

7.根据权利要求6所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，对所述待加工层进行刻蚀以在所述阻变层的设定位置处形成第一部分，包括：

对所述待加工层进行刻蚀以在所述阻变层的设定位置处形成多个所述第一部分，多个所述第一部分沿设定方向间隔排列，相邻两个所述第一部分之间具有设定距离。

8.根据权利要求6所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，对所述待加工层进行刻蚀以在所述阻变层的设定位置处形成第一部分，包括：

对所述待加工层进行刻蚀以在所述阻变层的设定位置处形成长方体或立方体的所述第一部分。

9.根据权利要求6所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，所述第一部分为钛材质。

10.根据权利要求6所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，所述第二部分为氮化钛材质。