[发明专利]发光元件

说明书

提供一种发光元件包含半导体结构、反射结构、第一及第二绝缘结构、导电结构、第一及第二焊垫。反射结构设置于半导体结构上。第一绝缘结构包含第一及第二凸出部分别覆盖反射结构的第一、第二部分、及第一凹陷部露出第一与第二部分间的第三部分。导电结构包含第一及第二导电部。第一导电部设置于第一凸出部上以接触半导体结构。第二导电部设置于第二凸出部上，并通过第一凹陷部以接触第三部分。第一、第二焊垫分别设置于第一、第二导电部上。第一与第二焊垫的正下方的各个结构皆呈平坦状堆叠，以提升应力抵抗能力。

技术领域

本揭露是有关于一种发光元件，且特别是关于一种覆晶式的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是半导体材料制成的发光元件，可将电能转换成光，其具有体积小、能量转换效率高、寿命长、省电等优点，因此广泛应用于各式电子装置的光源。

目前覆晶式发光二极管虽提升了传统发光二极管的发光效率，但却存在着电流扩散不均导致发光亮度偏低，且共晶面不平整导致应力抵抗能力低。有鉴于此，现有技术实有待改善的必要。

发明内容

本揭露的一实施方式的目的在于提供一种发光元件，以达成均匀发光与高应力抵抗能力的效果。

本揭露的一实施方式提供了一种发光元件，包含半导体结构、反射结构、第一绝缘结构、导电结构、第二绝缘结构、第一焊垫、以及第二焊垫。反射结构设置于半导体结构上的一部份。第一绝缘结构包含第一凸出部、第二凸出部、第一凹陷部、以及第二凹陷部。第一凸出部覆盖反射结构的第一部分。第二凸出部覆盖反射结构的第二部分。第一凹陷部露出反射结构的第一部分与第二部分之间的第三部分，且区隔第一凸出部与第二凸出部。第二凹陷部露出半导体结构的第一周缘上表面。导电结构包含第一导电部、第二导电部、以及凹沟部。第一导电部设置于第一凸出部上，并通过第二凹陷部以接触半导体结构的第一周缘上表面。第二导电部设置于第二凸出部上，并通过第一凹陷部以接触反射结构的第三部分。凹沟部区隔第一导电部与第二导电部。第一焊垫设置于第一导电部上，第二焊垫设置于第二导电部上。其中，第一焊垫与第二焊垫的正下方的各个结构皆呈平坦状堆叠，且不存在任何凸出或凹陷的设计。

在一些实施方式中，导电结构还包含多个内凹部，这些内凹部位于导电结构的周缘，且以水平方向朝导电结构的中心内缩。

在一些实施方式中，第一绝缘结构还包含第三凸出部，覆盖半导体结构的第二周缘上表面，其中第二周缘上表面位于第一周缘上表面的外侧。

在一些实施方式中，发光元件还包含第二绝缘结构，第二绝缘结构覆盖于导电结构与第三凸出部，并通过凹沟部以接触第一绝缘结构的这些第一凸出部，其中第二绝缘结构包含一形状以对应露出第一焊垫与第二焊垫。

在一些实施方式中，第二绝缘结构还包含与第一焊垫与第二焊垫不相连接。

在一些实施方式中，半导体结构由下而上依序包含第一半导体层、活性层与第二半导体层。

在一些实施方式中，发光元件还包含至少一通孔，通孔穿过活性层、第二半导体层、反射结构的第一部分、与第一绝缘结构的第一凸出部并露出第一半导体层，第一导电部通过通孔以接触第一半导体层。

在一些实施方式中，发光元件还包含基板，半导体结构设置在基板上。

在一些实施方式中，第一绝缘结构还包含布拉格反射镜，布拉格反射镜形成在反射结构的上表面以及半导体结构的侧壁，其中，布拉格反射镜结构包含多对次层，并且每一次层具有一折射率与相邻次层的折射率不同。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，本揭露的各种态样将最易于理解。应注意的是，根据行业标准操作规程，各种特征结构可能并非按比例绘制。事实上，为了论述的清晰性，可以任意地增大或减小各种特征结构的尺寸。为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：