[发明专利]一种刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待刻蚀的半导体结构；

在所述半导体结构上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；

在所述第二硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第二硬掩膜层，形成暴露所述第一硬掩膜层的第一沟槽；

以刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层，形成与第一沟槽连通的第二沟槽；

利用清洗溶液对所述第二沟槽的内壁进行清洗，所述清洗溶液包括能够清除第二硬掩膜层材料的溶液；

以清洗后的第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体结构。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述在所述半导体结构上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层之前，所述方法还包括：

在所述半导体结构上形成氧化硅层；

所述以刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层，形成与第一沟槽连通的第二沟槽，包括：

以刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，对所述第一硬掩膜层进行过刻蚀，所述过刻蚀停止于所述氧化硅层的内部，形成与第一沟槽连通的第二沟槽。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第二硬掩膜层为厚度小于所述第一硬掩膜层的厚度的帽盖层。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第一硬掩膜层为含碳材料层。

5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第二硬掩膜层为氮氧化硅层和/或多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述清洗溶液包括氢氟酸水溶液。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述清洗溶液通过氢氟酸和去离子水按照1：50～1：200的体积比混合而成。

8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

在所述以刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层之后，形成的所述第二沟槽内壁上具有附着物；所述附着物为刻蚀所述第一硬掩膜层时所述第二硬掩膜层发生溅射而生成；

所述利用清洗溶液对所述第二沟槽的内壁进行清洗，包括：利用清洗溶液清洗以去除所述第二沟槽的内壁上的所述附着物。

9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述附着物附着在所述第二沟槽顶部的内壁上，以使所述第二沟槽具有颈状开口；

在对所述第二沟槽的内壁进行清洗之后，所述内壁的截面呈直线形。

10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述利用清洗溶液对所述第二沟槽的内壁进行清洗之前，所述方法还包括：

通过干法刻蚀去除所述第二硬掩膜层。

11.根据权利要求1至10任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述方法应用于三维存储器的栅缝隙的形成工艺中；

待刻蚀的所述半导体结构包括形成在半导体衬底上的叠层结构；

所述以清洗后的第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体结构，包括：以清洗后的第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述叠层结构，形成所述栅缝隙。