[发明专利]一种基于改进型TIA的超宽带放大器单元电路有效

专利信息
申请号: 202010152026.3 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111277232B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 李连鸣;何龙;吴旭;牛晓康;付宇鹏 申请(专利权)人: 东南大学;网络通信与安全紫金山实验室
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 王安琪
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 改进型 tia 宽带 放大器 单元 电路
【权利要求书】:

1.一种基于改进型TIA的超宽带放大器单元电路,其特征在于,包括:第一部分电路(100)、第二部分电路(200)和第三部分电路(300);第一部分电路(100)的差分输入端和第二部分电路(200)的差分输入端相连,并作为整个放大器的输入端;第二部分电路(200)的输出端与第三部分电路(300)的输入端直接相连;第一部分电路(100)是用于中和放大器输入电容的独立于主放大器之外的负电容发生器;第二部分电路(200)是将输入电压信号转换成电流信号的跨导级放大器;第三部分电路(300)是将电流信号转换成电压信号并输出的改进型跨阻放大器;

第二部分电路(200)包括第二差分放大器和第二差分输入信号,第二差分放大器包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4,第一晶体管M1和第二晶体管M2的源极连接后经第一电流源I1接地,第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极分别接差分输入电压Vip和Vin,第一晶体管M1和第二晶体管M2的漏极分别连接第三晶体管M3和第四晶体管M4的漏极,连接点分别为节点A和节点B;第三晶体管M3和第四晶体管M4的栅极均接电压Vp,第三晶体管M3和第四晶体管M4的源极均接电源Vcc;

第三部分电路(300)包括两个反相器结构、两个反馈电阻、两个自偏置尾电流源和第三差分输出信号;第一反相器结构包括第五晶体管M5和第九晶体管M9,第二反相器结构包括第六晶体管M6和第十晶体管M10,第一自偏置尾电流源包括第七晶体管M7和第一偏置电阻Rb1,第二自偏置尾电流源包括第八晶体管M8和第二偏置电阻Rb2;第五晶体管M5和第九晶体管M9的栅极均连接节点A,第六晶体管M6和第十晶体管M10的栅极均连接节点B,第五晶体管M5的漏极和第六晶体管M6的漏极之间串联连接第一偏置电阻Rb1和第二偏置电阻Rb2,第一偏置电阻Rb1和第二偏置电阻Rb2的连接点与第七晶体管M7和第八晶体管M8的栅极连接;第五晶体管M5和第六晶体管M6的源极连接,且同时与第七晶体管M7和第八晶体管M8的漏极连接;第七晶体管M7的源极和第八晶体管M8的源极均与地连接;第五晶体管M5和第九晶体管M9的漏极、第六晶体管M6和第十晶体管M10的漏极分别与差分输出端Vop和Von连接,第九晶体管M9和第十晶体管M10的源极接电源Vcc,节点A和B分别通过第一反馈电阻Rf1和第二反馈电阻Rf2连接输出端Vop和Von

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