[发明专利]晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：

S1: 将平均粒径为 10～40微米的砂粒和水充分搅拌混合形成微米级水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将微米级水砂混合物均匀地喷射至硅片表面直至硅片表面形成微米级麻面层；

S2: 将平均粒径为1～2微米的砂粒和水充分搅拌混合形成纳米级的水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将纳米级的水砂混合物均匀地喷射至步骤S1得到的硅片表面，在微米级麻面层表面形成纳米级麻面层；

S3: 将喷砂完毕的硅片放入蚀刻液内蚀刻得到微纳浊透复合绒面制品，所述蚀刻液为可腐蚀硅片的碱液或混酸蚀刻液，蚀刻液的浓度以及蚀刻时间以由步骤S2得到的硅片表面呈现凹凸起伏、浊透相间状态为准。

2.根据权利要求1所述逇晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其特征在于：所述步骤S3为中所述蚀刻液为氢氟酸与硝酸混合液，所述氢氟酸物质的量浓度为1.0 mol/L～1.4mol/L，所述硝酸物质的量浓度为11 mol/L～15mol/L，蚀刻时间为35～80min，蚀刻温度为5～15℃。

3.一种太阳能电池片，其包括晶硅片，其特征在于：所述晶硅片的正面具有凹凸起伏、浊透相间的微纳浊透复合绒面层，所述微纳浊透复合绒面层由权利要求1所述的晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法制得。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池片，其特征在于：所述晶硅片的背面具有纳米级陷光绒面层。

5.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于：其晶硅片的制备方法包括以下步骤：

S1: 将平均粒径为 10～40微米的砂粒和水充分搅拌混合形成微米级水砂混合物，而后均匀地移动高压水砂喷枪，将微米级水砂混合物均匀地喷射至晶硅片的正面至正面形成微米级麻面层；

S2: 将平均粒径为1～2微米的砂粒和水充分搅拌混合形成纳米级的水砂混合物，而后均匀地移动高压水砂喷枪，将该水砂混合物均匀地喷射至晶硅片的正面，在微米麻面层表面形成纳米级麻面层；

S3: 将经步骤S2得到的晶硅片送入扩散炉进行扩散制结；

S4:将经步骤S3得到的晶硅片进行清洗以去除杂质；

S5: 将经步骤S4清洗后的晶硅片放入蚀刻液内蚀刻，所述蚀刻液为可腐蚀硅片的碱液或混酸蚀刻液，蚀刻液的浓度以及蚀刻时间以硅片表面呈现凹凸起伏、浊透相间状态为准。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：在步骤S2与步骤S3之间增加步骤S6：对晶硅片的背面进行水、砂混合高压喷射形成纳米级麻面层，其中砂粒的平均粒径为1～2微米。