[发明专利]反应腔室

说明书

本发明公开一种反应腔室，包括：腔体，腔体与上盖通过绝缘部相连，且腔体与上盖形成内腔，上盖开设有与内腔连通的通孔；进气机构包括第一绝缘块、第二绝缘块、进气管和法兰盘，进气管的一端与法兰盘相连，第一绝缘块的至少部分处于通孔，且第一绝缘块背离内腔的一侧开设有容纳空间，第二绝缘块设置于容纳空间，法兰盘设置于容纳空间的开口，第二绝缘块开设有第二进气孔，进气管与第二进气孔连通，第一绝缘块开设有第一进气孔，第一进气孔的一端与第二进气孔连通，第一进气孔的另一端与内腔连通，在通孔的轴线方向上，第一进气孔的投影处于第二进气孔的投影之外。本方案解决现有的反应腔室内部容易发生意外打火的问题。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种反应腔室。

背景技术

半导体设备技术领域中，MOVCD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相淀积)是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

通常情况下，腔室中具有两块相距一定距离且相互平行的平板电极，其中一块平板电极接射频，另一块平板电极接地。在生成所需要的材料后，工艺气体经过匀流室匀流后进入两块平板电极之间，工艺气体在射频电场的作用下激发成为等离子体，等离子体和衬底表面通过MOCVD生成的材料发生反应，从而降低衬底表面膜层的电阻率。

在具体的应用过程中，由于不同材料所需要的膜层电阻率不同，进而要求需要调整不同的射频功率来进行反应。但是，在提高射频功率后，经常因为射频电极与金属进气口之间发生意外放电，从而容易发生打火现象，进而影响衬底表面材料的电阻率的均匀性。

发明内容

本发明公开一种反应腔室，以解决现有的反应腔室内部容易发生意外打火的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种反应腔室，包括：

腔体，所述腔体接地；

上盖，所述上盖设置有电极，所述腔体与所述上盖通过绝缘部相连，且所述腔体与所述上盖形成内腔，所述上盖开设有与所述内腔连通的通孔；

进气机构，所述进气机构包括第一绝缘块、第二绝缘块、进气管和法兰盘，所述进气管的一端与所述法兰盘相连，所述第一绝缘块的至少部分处于所述通孔，且所述第一绝缘块背离所述内腔的一侧开设有容纳空间，所述第二绝缘块设置于所述容纳空间，所述法兰盘设置于所述容纳空间的开口，所述第二绝缘块开设有第二进气孔，所述进气管与所述第二进气孔连通，所述第一绝缘块开设有第一进气孔，所述第一进气孔的一端与所述第二进气孔连通，所述第一进气孔的另一端与所述内腔连通，在所述通孔的轴线方向上，所述第一进气孔的投影处于所述第二进气孔的投影之外。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开的反应腔室中，由于在通孔的轴线方向上，第一进气孔的投影处于第二进气孔的投影之外，以使法兰盘与上盖之间通过两个相错开的气孔相连通，此种情况下，当上盖通过电极通电时，由于接地的法兰盘与上盖以及上盖中的带电部件之间通过两个相错开的气孔连通，以使接地的法兰盘与上盖以及上盖中的带电部件之间较难形成射频电场，从而较难产生意外放电现象，进而能够防止产生打火现象，最终能够保证所生成材料的均匀性和稳定性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的反应腔室的剖视图；