[发明专利]一种MRAM、温度自适应的MRAM的读取电路及方法

权利要求书

1.一种温度自适应的MRAM的读取电路，其特征在于，包括：待测存储位元检测电路、参考存储位元检测电路和比较电路，

所述待测存储位元检测电路与待测存储位元和第一电源连接，用于检测所述待测存储位元在所述第一电源输出的第一电信号下的待测结果；

所述参考存储位元检测电路与参考存储位元和第二电源连接，用于检测所述参考存储位元在所述第二电源输出的第二电信号下的参考结果；

所述比较电路与所述待测存储位元检测电路和所述参考存储位元检测电路连接，用于根据所述待测结果和所述参考结果比较所述待测存储位元的电阻和所述参考存储位元的电阻以得到所述待测存储位元的读取结果；

其中，所述参考存储位元和所述待测存储位元均为MRAM中的存储位元，所述参考存储位元在被所述第二电信号读取时处于反平行态，所述第二电信号的电流或电压大于所述第一电信号的电流或电压；

所述参考存储位元在被所述第二电信号读取时对应的电阻介于0.4(Rp+Rap)～0.6(Rp+Rap)之间，所述第二电信号施加方向与将所述参考存储位元写为反平行状态时所需施加电流方向一致，其中，Rp和Rap分别为所述待测存储位元在所述第一电信号下对应的平行态电阻和反平行态电阻；

所述第一电源和所述第二电源均为电流源或所述第一电源和所述第二电源均为电压源；

若所述第一电源和所述第二电源均为电流源，则所述待测存储位元检测电路包括第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的第一端与所述第一电源连接，所述第一开关管的第二端与所述待测存储位元的第一端和所述第二开关管的第一端连接，所述待测存储位元的第二端接地，所述第二开关管的第二端与所述比较电路的第一端连接，

所述参考存储位元检测电路包括第三开关管、第四开关管、第一电阻和第二电阻，所述第三开关管的第一端与所述第二电源连接，所述第三开关管的第二端与所述参考存储位元的第一端和所述第四开关管的第一端连接，所述参考存储位元的第二端接地，所述第四开关的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端和所述比较电路的第二端连接，所述第二电阻的第二端接地；

其中，R2/(R1+R2)＝I_read1/I_read2，R1为所述第一电阻，R2为所述第二电阻，I_read1为所述第一电信号，I_read2为所述第二电信号；

若所述第一电源和所述第二电源均为电压源，则所述待测存储位元检测电路包括第五开关管、第一电流镜和第三电阻，所述第五开关管的控制端与所述第一电源连接，所述第五开关管的第一端与所述待测存储位元的第一端连接，所述待测存储位元的第二端接地，所述第五开关管的第二端与所述第一电流镜的输入端连接，所述第一电流镜的输出端与所述第三电阻的第一端和所述比较电路的第一端连接，所述第三电阻的第二端接地，

所述参考存储位元检测电路包括第六开关管、第二电流镜和第四电阻，所述第六开关管的控制端与所述第二电源连接，所述第六开关管的第一端与所述参考存储位元的第一端连接，所述参考存储位元的第二端接地，所述第六开关管的第二端与所述第二电流镜的输入端连接，所述第二电流镜的输出端与所述第四电阻的第一端和所述比较电路的第二端连接，所述第四电阻的第二端接地，

其中，所述第一电流镜为1:1电流镜，所述第二电流镜为1：N电流镜，R3＝R4，R3为所述第三电阻，R4为所述第四电阻，N＝V_read2/V_read1，V_read1为所述第一电信号，V_read2为所述第二电信号。

2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述参考存储位元为n*n的位元阵列，排列方式为每n个参考存储位元串联，再将n个串联后的参考存储位元并联；其中，n为大于1的正整数。

3.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于，所述比较电路包括差分放大器。

4.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，若所述待测结果小于所述参考结果，则所述待测存储位元的读取结果为低电阻态；

若所述待测结果大于所述参考结果，则所述待测存储位元的读取结果为高电阻态。