[发明专利]基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010152756.3 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111397515A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 司文荣;虞益挺;傅晨钊;李浩勇;吴旭涛;陆启宇;黄华;王谢君;徐梦飞;黄昊;李秀广;梁基重;药炜;何宁辉;周秀;马飞越;陈川;刘昕;袁鹏 申请(专利权)人: 国网上海市电力公司;西北工业大学;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;全球能源互联网研究院有限公司;西安茂荣电力设备有限公司
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02;G02B6/293
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 应小波
地址: 200122 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 梅花 光纤 mems 光束 干涉 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,包括梅花型光纤(1)、引导孔(2)、支撑框架(3)、孔肩(4)、干涉腔本体(5)、敏感膜片(6)、第一反射层(7)和第二反射层(8);所述梅花型光纤(1)包括中心光纤(9)和环绕光纤(10);

所述梅花型光纤(1)固接在引导孔(2)中并与第二反射层(8)相连接,所述的中心光纤(9)与第一反射层(7)中心对准,所述的环绕光纤(10)与第二反射层(8)相连接,所述第二反射层(8)设在引导孔(2)底部和干涉腔本体(5)构成的孔肩(4)上,所述干涉腔本体(5)设在引导孔(2)的底部且与引导孔(2)的中心同轴,所述敏感膜片(6)制作在干涉腔本体(5)的底部并与支撑框架(3)连接,所述第一反射层(7)设在敏感膜片(6)上。

2.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,所述敏感膜片(6)与梅花型光纤(1)端面之间的距离通过干涉腔本体(5)的长度控制。

3.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,所述梅花型光纤(1)采用N-1根环绕光纤(10)绕1根中心光纤(9)圆周均布的方式排列。

4.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,所述引导孔(2)、支撑框架(3)、孔肩(4)、干涉腔本体(5)、敏感膜片(6)均为通过干法刻蚀或者湿法腐蚀硅片、氧化硅片、氮化硅片、SOI片的材料整体制作而成的部件。

5.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,所述第一反射层(7)为通过蒸镀或磁控溅射金、银、铝的材料制作而成的部件。

6.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,所述第二反射层(8)为通过蒸镀或磁控溅射金、银、铝的材料制作而成的部件。

7.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,光源发出的光通过光纤环形器进入分光器,经分光器分成N束光,其中N-1束进入环绕光纤(10)被引导孔(2)底部的第二反射层(8)反射进入光纤,剩余一束光进入中心光纤(9)被敏感膜片(6)上的第一反射层(7)反射重新进入光纤,这N部分光束在分光器中汇聚干涉,汇聚干涉后的光束通过光纤环形器进入后端检测系统。

8.根据权利要求1所述的一种基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔,其特征在于,干涉信号与干涉腔本体(5)的腔长有关,当被检测的信号使敏感膜片(6)发生轴向变形时,干涉腔本体(5)腔长发生变化,从而引起干涉信号的变化,通过解调干涉信号就可获得被测物理量的信息。

9.一种用于权利要求1所述的基于梅花型光纤的MEMS多光束干涉腔的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:在硅片、氧化硅片、氮化硅片、SOI片的材料上通过干法刻蚀或湿法腐蚀工艺制作引导孔(2);

步骤2:在引导孔(2)的底部通过干法刻蚀或湿法腐蚀工艺制作敏感膜片(6)并形成干涉腔本体(5);

步骤3:通过蒸镀或磁控溅射金、银、铝的材料在敏感膜片(6)和孔肩(4)的上部沉积第一反射层(7)和第二反射层(8);

步骤4:将梅花型光纤(1)插入引导孔(2),通过孔肩(4)定位光纤端面,使梅花型光纤(1)内部的中心光纤(9)与敏感膜片(6)上的第一反射层(7)中心对准,梅花型光纤(1)内部的环绕光纤(10)与孔肩(4)上的第二反射层(8)接触,利用环氧树脂、热熔胶的粘接剂将梅花型光纤(1)固定在引导孔(2)中,形成多光束光纤干涉腔。

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