[发明专利]一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1将四钼酸铵和氯化钠的混合溶液烘干后作为钼源放入反应器，并在钼源上放置生长基底，将碲粉作为碲源放入反应器并置于钼源的上游；

S2将钼源和碲源处温度升高到反应温度后自然降温至室温，同时向反应器中通入载气以将碲源带至钼源处，并通入还原剂，使钼源和碲源反应，在生长基底上生成二维二碲化钼垂直异质结，完成二维二碲化钼垂直异质结的制备，该二维二碲化钼垂直异质结包括1T’-MoTe₂和2H-MoTe₂两部分，且两部分间通过层间范德华力连接；

所述反应器包括管式炉和一端开口的套管，所述S1中，先将钼源和碲源放入套管中，且碲源靠近套管开口一端，然后将套管放入管式炉中，并使钼源位于管式炉的中心位置；

所述混合溶液中四钼酸铵和氯化钠的质量比为1:1，所述混合溶液的浓度为40g/L～80g/L，所述钼源的体积为1mL，所述碲源的质量为0.8g～1.2g。

2.如权利要求1所述的二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，所述钼源和碲源的距离为0.5cm～1.5cm。

3.如权利要求2所述的二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，所述钼源和碲源的距离为1cm。

4.如权利要求1所述的二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的浓度为60g/L；所述碲源的质量为1.0g。

5.如权利要求1所述的二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，所述载气为氩气，其流量速度为80sccm～100sccm；所述还原剂为氢气，其流量速度为3sccm～5sccm。

6.如权利要求1-5任一项所述的二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，所述S2中，以40℃/min的速率将钼源处升温至650℃～750℃，升温后碲源处的温度为450℃～500℃，然后不保温，自然降温至室温。

7.如权利要求6所述的二维二碲化钼垂直异质结的制备方法，其特征在于，所述S2中，以40℃/min的速率将钼源处升温至700℃，升温后碲源处的温度为480℃，然后不保温，自然降温至室温。

8.一种采用如权利要求1-7任一项所述的制备方法制备而成的二维二碲化钼垂直异质结，其特征在于，包括1T’-MoTe₂和2H-MoTe₂两部分，且两部分间通过层间范德华力连接。

9.如权利要求8所述的二维二碲化钼垂直异质结，其特征在于，1T’-MoTe₂为条带状或花瓣状，2H-MoTe₂为等边三角形或六边形。

10.一种如权利要求8或9所述的二维二碲化钼垂直异质结的应用，其特征在于，将该二维二碲化钼垂直异质结用于制作半导体器件。