[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

外部端子；

输出元件；

检测元件，其对所述外部端子中负电压的产生进行检测；以及

截止电路，其在所述检测元件检测出所述负电压的产生时强制性使所述输出元件截止。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述检测元件是栅极与基准电位端连接而源极与所述外部端子连接的N沟道型晶体管，或者，是基极与所述基准电位端连接而发射极与所述外部端子连接的npn型晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述截止电路包含：开关元件，其在所述检测元件检测出所述负电压的产生时使所述输出元件的栅极-源极间短路。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件是源极与所述输出元件的源极连接而漏极与所述输出元件的栅极连接的P沟道型晶体管。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述截止电路还包含在所述开关元件的栅极-源极间连接的电阻。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件的栅极与所述检测元件的漏极或者集电极连接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有：异常保护电路，其不仅在异常保护电路自己检测出监视对象的异常时，还在所述检测元件检测出所述负电压的产生时，经由所述截止电路强制性使所述输出元件截止。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述异常保护电路是过电流保护电路、过热保护电路、或者过电压保护电路。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有：静电保护元件，其连接在所述外部端子与基准电位端之间。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有：输出驱动部，其对连接在输入电压的输入端与所述外部端子之间的所述输出元件进行驱动，以使所述外部端子展现的输出电压或者与之对应的反馈电压与规定的参考电压一致。

11.一种半导体装置，其特征在于，具有：

外部端子；

输出元件；

第1半导体区域，其与所述外部端子连接；

第2半导体区域，其形成内部电路；

第3半导体区域，其形成为比所述第2半导体区域靠近所述第1半导体区域；以及

截止电路，其在伴随在所述第1半导体区域与所述第3半导体区域之间的寄生元件导通时强制性使所述输出元件截止。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生元件是以P型的半导体基板为基极，以N型的所述第1半导体区域为发射极，以N型的所述第3半导体区域为集电极的npn型晶体管。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述截止电路包含：开关元件，其在所述寄生元件导通时使所述输出元件的栅极-源极间短路。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件是源极与所述输出元件的源极连接而漏极与所述输出元件的栅极连接的P沟道型晶体管。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

所述截止电路还包含：电阻，其连接在所述开关元件的栅极-源极间。