[发明专利]一种Si掺杂Inx

权利要求书

1.一种Si掺杂In_xAl_1-xN薄膜的制备方法：采用磁控溅射技术，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、选用Si(100)作为基片，对Si(100)基片进行超声波清洗烘干后，传送室真空室内；

步骤二、将金属In靶、金属Al靶、陶瓷Si₃N₄靶安装于真空室靶位上；

步骤三、对真空室抽真空使得真空室内真空度降低到10^-4Pa以下；

步骤四、设置In_xAl_1-xN薄膜制备工艺参数，其中靶材与基片的距离设置为50mm，真空压强设置为0.6pa，衬底温度设置为600℃，Ar∶N₂的流量比设置为20∶10，Si3N4靶材功率设置为20-40W，In靶功率设置为70-110W，Al靶功率设置为200-300W，溅射时间设置为30min；

步骤五、溅射完毕后，停止加热等待样品冷却后送至样品室取样。

2.根据权利要求1所述的Si掺杂In_xAl_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于，Si(100)基片清洗步骤如下：

步骤一、将Si(100)基片片放入HF中，然后用去离子水清洗去除残留的HF；

步骤二、将Si(100)基片放入装有丙酮和四氯化碳混合溶液的烧杯中，超声波震荡30min，去除表面的有机物；

步骤三、重复步骤二后，将得到的Si(100)基片放在乙醇中清洗30min去除残留溶液，然后用去离子水清洗干净；

步骤四、重复步骤三两次得到表面清洁的基片。

3.根据权利要求1所述的Si掺杂In_xAl_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤四中Si₃N₄靶材功率设置为40W；

或者所述步骤四中In靶材功率设置为90W；

或者所述步骤四中Al靶材功率设置为300W；

或者所述步骤四中Si₃N₄靶材功率设置为40W、In靶材功率设置为90W、Al靶材功率设置为300W。