[发明专利]一种VCSEL芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种VCSEL芯片，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上以第一方向依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展夹层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型DBR层；

P型包层，所述P型包层设置于所述P型DBR层背离所述衬底的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，各所述电流扩展夹层分别包括n个子电流扩展层，n为整数，且n≥1；则，各所述子电流扩展层的厚度为λ/2n，其中，λ为所述VCSEL芯片的光源波长。

3.根据权利要求2所述的VCSEL芯片，其特征在于，各所述子电流扩展层包括掺杂型的子电流扩展层。

4.根据权利要求3所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述N型DBR层和P型DBR层均包括重叠生长的若干个复合层，所述N型DBR层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的低折射率物质层和高折射率物质层；所述P型DBR层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的高折射率物质层和低折射率物质层。

5.根据权利要求4所述的VCSEL芯片，其特征在于，在所述N型DBR层和P型DBR层的至少一者中，其任意相邻的两个所述复合层的交界处设有所述电流扩展夹层。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述N型波导限制层、P型波导限制层均包括重叠生长的若干个子限制层。

7.根据权利要求6所述的VCSEL芯片，其特征在于，在所述N型波导限制层和P型波导限制层的至少一者中，其任意相邻的两个所述子限制层的交界处设有所述电流扩展夹层。

8.根据权利要求7所述的VCSEL芯片，其特征在于，在所述衬底及N型DBR层之间设有缓冲层。

9.一种VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述VCSEL芯片的制备方法包括如下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上以第一方向依次生长N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展夹层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型DBR层；

P型包层，所述P型包层生长于所述P型DBR层背离所述衬底的一侧表面。

10.根据权利要求9所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，各所述电流扩展夹层分别包括依次生长的n个子电流扩展层，n为整数，且n≥1；则，各所述子电流扩展层的厚度为λ/2n，其中，λ为所述VCSEL芯片的光源波长。