[发明专利]一种基于反应性膏体的互连方法有效
申请号: | 202010155410.9 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111415903B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 唐宏浩;叶怀宇;张国旗 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/67;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人: | 彭随丽 |
地址: | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 反应 性膏体 互连 方法 | ||
1.一种基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,包括:
S1:混合金属纳米材料的反应前驱体、刻蚀剂、还原剂、包被剂、溶剂,获得单相反应性膏体,控制所述反应前驱体、所述刻蚀剂、所述还原剂的质量比及加热的温度,获得不同质量比的纳米金属颗粒,纳米颗粒线,和/或纳米金属片,混合金属纳米材料的反应前驱体、刻蚀剂,还原剂、包被剂、溶剂还包括:超声、振荡所述反应性膏体;
S2:将所述单相反应性膏体印刷至基板,加热所述单相反应性膏体,获得所述反应性膏体,所述反应性膏体包括纳米金属颗粒,纳米金属线,和/或纳米金属片;
S3:冷却所述基板;
S4:将芯片放置与所述反应性膏体表面,获得预制件;
S5:烧结所述预制件,互连所述基板及所述芯片。
2.根据权利要求1所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述S2中,加热所述单相反应性膏体包括:在所述反应性膏体上盖放培养皿。
3.根据权利要求1所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述S2中,加热条件为:温度区间为50 ℃~170 ℃,加热时间区间为30 min~24 h。
4.根据权利要求1所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述S5中,烧结的气氛为空气、氮气、氩气、氢氩混合气以及氢氮混合气,烧结温度区间在室温到250℃之间,烧结时间在20-200 min之间。
5.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述反应前驱体为硝酸银、氯化银、醋酸银、氧化银、硫酸银、四氟硼酸银、六氟锑酸银,硝酸铜、氯化铜、醋酸铜、氧化铜、硫酸铜、四氟硼酸铜、六氟锑酸铜中的一种或多种的组合。
6.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述刻蚀剂为氯化钠、氯化铁、氯化铜、氯化亚铁、氯化亚铜中的一种或多种的组合。
7.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述还原剂为柠檬酸钠、抗坏血酸、二甲基亚砜、吡啶、聚乙二醇、乙二醇、肼、EDTA、硼氢化钠、甲醛中的一种或多种的组合。
8.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述包被剂为柠檬酸钠、SDBS、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、CTAB、SDS中的一种或多种的组合;所述溶剂为水、乙二醇、丙三醇、DMF、乙醇、异丙醇中的一种或多种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造