[发明专利]一种基于反应性膏体的互连方法有效

专利信息
申请号: 202010155410.9 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111415903B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 唐宏浩;叶怀宇;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/67;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 反应 性膏体 互连 方法
【权利要求书】:

1.一种基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,包括:

S1:混合金属纳米材料的反应前驱体、刻蚀剂、还原剂、包被剂、溶剂,获得单相反应性膏体,控制所述反应前驱体、所述刻蚀剂、所述还原剂的质量比及加热的温度,获得不同质量比的纳米金属颗粒,纳米颗粒线,和/或纳米金属片,混合金属纳米材料的反应前驱体、刻蚀剂,还原剂、包被剂、溶剂还包括:超声、振荡所述反应性膏体;

S2:将所述单相反应性膏体印刷至基板,加热所述单相反应性膏体,获得所述反应性膏体,所述反应性膏体包括纳米金属颗粒,纳米金属线,和/或纳米金属片;

S3:冷却所述基板;

S4:将芯片放置与所述反应性膏体表面,获得预制件;

S5:烧结所述预制件,互连所述基板及所述芯片。

2.根据权利要求1所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述S2中,加热所述单相反应性膏体包括:在所述反应性膏体上盖放培养皿。

3.根据权利要求1所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述S2中,加热条件为:温度区间为50 ℃~170 ℃,加热时间区间为30 min~24 h。

4.根据权利要求1所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述S5中,烧结的气氛为空气、氮气、氩气、氢氩混合气以及氢氮混合气,烧结温度区间在室温到250℃之间,烧结时间在20-200 min之间。

5.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述反应前驱体为硝酸银、氯化银、醋酸银、氧化银、硫酸银、四氟硼酸银、六氟锑酸银,硝酸铜、氯化铜、醋酸铜、氧化铜、硫酸铜、四氟硼酸铜、六氟锑酸铜中的一种或多种的组合。

6.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述刻蚀剂为氯化钠、氯化铁、氯化铜、氯化亚铁、氯化亚铜中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述还原剂为柠檬酸钠、抗坏血酸、二甲基亚砜、吡啶、聚乙二醇、乙二醇、肼、EDTA、硼氢化钠、甲醛中的一种或多种的组合。

8.根据权利要求1-4任一所述基于反应性膏体的互连方法,其特征在于,所述包被剂为柠檬酸钠、SDBS、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、CTAB、SDS中的一种或多种的组合;所述溶剂为水、乙二醇、丙三醇、DMF、乙醇、异丙醇中的一种或多种的组合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院,未经深圳第三代半导体研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010155410.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top