[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

多个像素；

斜坡产生器，被配置为产生斜坡信号；

多个模数转换器，包括第一模数转换器、第二模数转换器、第三模数转换器和第四模数转换器；

第一缓冲器，包括被配置为接收所述斜坡信号的输入节点和连接到所述第一模数转换器和第二模数转换器的第一输出节点；

第二缓冲器，包括被配置为接收所述斜坡信号的输入节点和连接到所述第三模数转换器和第四模数转换器的第二输出节点；以及

连接在所述第一模数转换器和第一缓冲器之间的第一电容器、连接在所述第二模数转换器和第一缓冲器之间的第二电容器、连接在所述第三模数转换器和第二缓冲器之间的第三电容器、连接在所述第四模数转换器和第二缓冲器之间的第四电容器，

其中，所述第一模数转换器包括第一计数器，所述第二模数转换器包括第二计数器，所述第三模数转换器包括第三计数器，以及所述第四模数转换器包括第四计数器，

其中，所述多个像素至少具有一千万个像素。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器中的每一个包括电流源和连接到所述电流源的晶体管。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述晶体管是p型金属氧化物半导体晶体管。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述晶体管是n型金属氧化物半导体晶体管。

5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述电流源位于所述晶体管与电源电压之间。

6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述电流源位于所述晶体管与接地节点之间。

7.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述电流源位于所述晶体管与电源电压之间。

8.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述电流源位于所述晶体管与接地节点之间。

9.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一计数器至第四计数器中的每一个的操作速度为至少1GHz。

10.一种图像传感器，包括：

多个像素，所述多个像素中的每一个是3T结构，所述3T结构包括连接到浮置扩散的重置晶体管、连接到所述浮置扩散的驱动晶体管以及连接到所述驱动晶体管的选择晶体管；

斜坡产生器，被配置为产生斜坡信号；

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管至第四晶体管的每个栅极被配置为连接到所述斜坡产生器；

第一模数转换器、第二模数转换器、第三模数转换器和第四模数转换器，所述第一模数转换器至第四模数转换器被配置为连接到所述多个像素；

连接在所述第一模数转换器和第一晶体管之间的第一电容器、连接在所述第二模数转换器和第二晶体管之间的第二电容器、连接在所述第三模数转换器和第三晶体管之间的第三电容器、连接在所述第四模数转换器和第二晶体管之间的第四电容器，

其中，所述第一模数转换器包括第一计数器，所述第二模数转换器包括第二计数器，所述第三模数转换器包括第三计数器，以及所述第四模数转换器包括第四计数器，

其中，所述第一计数器至第四计数器中的每一个的操作速度为至少1GHz。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一晶体管至第四晶体管是p型金属氧化物半导体晶体管。

12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一晶体管至第四晶体管是n型金属氧化物半导体晶体管。

13.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述第一晶体管至第四晶体管连接至接地节点。