[发明专利]一种CsPbBr3

权利要求书

1.一种CsPbBr₃/CsPb₂Br₅复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将CsPbBr₃粉末置于坩埚中，通过真空蒸发镀膜工艺在基片制得薄膜样品；

(2)将载有所述薄膜样品的基片取出并将其与滴加有DMSO液体或DMF液体的空白基片一同放入蒸发皿中，将蒸发皿密封后加热至100-150℃，保温15-20min后，解除密封，自然冷却至室温，制得CsPbBr₃/CsPb₂Br₅复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，真空度为(1-10)×10^-4Pa，蒸发电流为20-50A，蒸镀时间为80-120min。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述坩埚为钼坩埚，蒸发电流为20-25A。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述坩埚为钨坩埚，蒸发电流为40-50A。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，CsPbBr₃粉末的纯度为90-95％。

6.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，DMSO液体或DMF液体的加量为8-12μL。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法制备得到的CsPbBr₃/CsPb₂Br₅复合薄膜。