[发明专利]JFET器件的制备方法和JFET器件

权利要求书

1.一种JFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱；

在所述衬底上形成场氧层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；

在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；

在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；

在所述深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底上形成有至少四个场氧层；

所述衬底上形成有所述在所述衬底上形成场氧层，包括：

通过光刻工艺在第一目标区域覆盖光阻，所述第一目标区域是所述衬底上除所述至少四个场氧层对应的区域以外的其它区域；

通过场氧工艺在所述衬底上暴露的区域生长场氧层，形成所述至少四个场氧层；

去除所述光阻。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，沿所述衬底的剖面的长的方向，所述至少四个场氧层包括依次包括第一场氧层、第二场氧层、第三场氧层和第四场氧层，所述至少两个N型阱依次包括第一N型阱和第二N型阱；

所述第一场氧层和所述第二场氧层形成于所述第一N型阱上，所述第三场氧层和所述第四场氧层形成于所述第二N型阱上。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述P型重掺杂区形成于所述第二场氧层和所述第三场氧层之间，所述第一N型重掺杂区形成于所述第一场氧层和所述第二场氧层之间，所述第二N型重掺杂区形成于所述第三场氧层和所述第四场氧层之间。

5.根据权利要求1至4任一所述的制备方法，其特征在于，所述在所述上部区域形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区之后，还包括：

在所述P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上形成金属电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成场氧层之前，还包括：

在所述衬底上进行N型离子注入，形成所述深N型阱。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，包括：

通过光刻工艺在第二目标区域覆盖光阻，所述第二目标区域是所述衬底上除所述至少两个N型阱对应的区域以外的其它区域；

对所述衬底上暴露的区域进行N型离子注入，形成所述至少两个N型阱；

去除所述光阻。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱，包括：

通过光刻工艺在第三目标区域覆盖光阻，所述第三目标区域是所述衬底上除所述第一P型阱和所述第二P型阱对应的区域以外的其它区域；

对所述衬底上暴露的区域进行P型离子注入，形成所述第一P型阱和所述第二P型阱；

去除所述光阻。

9.一种JFET器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱，所述深N型阱中形成有至少两个N型阱和PTOP，所述衬底中深N型阱的外周侧形成有第一P型阱和第二P型阱，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；

场氧层，所述场氧层形成于所述深N型阱上，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；

P型重掺杂区，所述P型重掺杂区形成于所述深N型阱内且位于所述N型阱外；

第一N型重掺杂区，所述第一N型重掺杂区形成于所述第一N型阱内；

第二N型重掺杂区，所述第二N型重掺杂区形成于所述第二N型阱内。