[发明专利]一种共晶荧光复合陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种共晶荧光复合陶瓷，其特征在于，所述共晶荧光复合陶瓷为Ce³⁺和Cr³⁺共掺杂的Al₂O₃-YAG共晶荧光陶瓷，以Al₂O₃-YAG共晶荧光陶瓷中YAG相为基准，所述Cr³⁺的掺杂量为0.2～0.6wt.％。

2.根据权利要求1所述的共晶荧光复合陶瓷，其特征在于，所述共晶荧光复合陶瓷中YAG相和Al₂O₃相的面积比为(54～58):(42～46)。

3.根据权利要求1所述的共晶荧光复合陶瓷，其特征在于，以Al₂O₃-YAG共晶荧光陶瓷中YAG相为基准，所述Ce³⁺的掺杂量为0.2～0.8wt.％。

4.权利要求1～3任一项所述共晶荧光复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将Al₂O₃粉末、Y₂O₃粉末、CeO₂粉末和Cr₂O₃粉末混合，得到混合粉末；所述混合粉末中Cr³⁺的掺杂量为0.2～0.6wt.％；

(2)将所述混合粉末进行压制，得到板条；

(3)将所述板条进行埋烧，得到预制体；

(4)将所述预制体置于激光悬浮区熔装置的夹持装置上，两束激光束关于所述预制体水平对称，打开激光器，使两束激光束辐照的预制体熔化；将所述预制体向下移动，预制体自下而上定向凝固，得到共晶荧光复合陶瓷。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合的方式为湿法球磨，所述湿法球磨的介质为乙醇溶液和聚乙烯醇粘结剂，所述湿法球磨的转速为500～600r/min，所述湿法球磨的时间为5～8h。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述压制的压力为80～120kN，保压时间为3～10min。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述埋烧用包埋剂为氧化铝粉末，所述包埋剂的粒径为100～200目。

8.根据权利要求4或7所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述埋烧包括依次进行的第一保温阶段、第二保温阶段和第三保温阶段；

所述第一保温阶段的温度为400～600℃，时间为1～2h；所述第二保温阶段的温度为1000～1200℃，时间为2～4h；所述第三保温阶段的温度为1400～1600℃，时间为3～5h；

升温到所述第一保温阶段温度的升温速率和自第一保温阶段温度升温至第二保温阶段温度的升温速率独立地为5～10℃/min；自第二保温阶段温度升温到所述第三保温阶段温度的升温速率为3～8℃/min。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述预制体向下移动的速率为2～100μm/s。

10.权利要求1～3任一项所述共晶荧光复合陶瓷或权利要求4～9任一项所述制备方法制备得到的共晶荧光复合陶瓷作为高显色指数荧光材料的应用。