[发明专利]光发电元件在审
| 申请号： | 202010156599.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111508715A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 小松信明;伊藤朋子 | 申请（专利权）人： | 国际先端技术综合研究所株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;李书慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发电 元件 | ||
1.一种光发电元件，其特征在于，具有第一光发电层，
所述第一光发电层由平均长径为100nm以下的二氧化硅微粒构成，
所述二氧化硅微粒配置于在高度方向具有凹凸的电荷交换层上。
2.一种光发电元件，其特征在于，具有第一光发电层，
所述第一光发电层由二氧化硅微粒构成，
所述二氧化硅微粒形成于在高度方向具有凹凸的第一导电膜的上面，配置于在高度方向具有凹凸的电荷交换层上。
3.根据权利要求1所述的光发电元件，其中，所述电荷交换层的高度方向的凹凸的凹部的凹处相对于凸部的凸处为50nm以上。
4.根据权利要求2所述的光发电元件，其中，所述第一导电膜的高度方向的凹凸的凹部的凹处相对于凸部的凸处为50nm以上。
5.一种光发电元件，其特征在于，在一个表面具有第一导电膜的第一基板和在一个表面具有第二导电膜的第二基板以第一导电膜与第二导电膜相互相对的方式配置，
在所述第二导电膜上配置有第二光发电层，
在所述第一导电膜上配置有电荷交换层，
在所述电荷交换层上配置有第一光发电层，
在所述第二光发电层与所述第一光发电层之间配置有电解质，
所述第一光发电层由平均长径为100nm以下的二氧化硅微粒构成且所述二氧化硅微粒配置于在高度方向具有凹凸的电荷交换层上。
6.一种光发电元件，其特征在于，在一个表面具有第一导电膜的第一基板和在一个表面具有第二导电膜的第二基板以第一导电膜与第二导电膜相互相对的方式配置，
在所述第二导电膜上配置有第二光发电层，
在所述第一导电膜上配置有电荷交换层，
在所述电荷交换层上配置有第一光发电层，
在所述第二光发电层与所述第一光发电层之间配置有电解质，
所述第一光发电层由平均长径为100nm以下的二氧化硅微粒构成，
所述二氧化硅微粒形成于在高度方向具有凹凸的第一导电膜的上面，配置于在高度方向具有凹凸的电荷交换层上。
7.根据权利要求5或6所述的光发电元件，其中，所述电荷交换层和/或所述第一导电膜具有凹部的凹处相对于凸部的凸处在高度方向具有50nm以上的高度的凹凸。
8.根据权利要求5或6所述的光发电元件，其中，所述二氧化硅微粒是在氢卤酸中浸渍处理过的二氧化硅。
9.根据权利要求7所述的光发电元件，其中，所述二氧化硅微粒是在氢卤酸中浸渍处理过的二氧化硅。
10.根据权利要求5或6所述的光发电元件，其中，所述第二光发电层为选自TiO2、SnO、ZnO、WO3、Nb2O5、In2O3、ZrO2、Ta2O5、TiSrO3中的物质。
11.根据权利要求10所述的光发电元件，其中，所述第二光发电层是使敏化色素担载而成的。
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