[发明专利]一种3D NAND存储结构及其制备方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一半导体中间结构，所述半导体中间结构包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的叠层结构及形成于所述叠层结构中的正面栅极间隙；其中，所述正面栅极间隙贯穿所述叠层结构并延伸至所述半导体衬底；

于所述正面栅极间隙的内壁形成初始共源线，以填充所述正面栅极间隙；

回刻蚀所述初始共源线，以形成回刻蚀孔，并于所述回刻蚀孔中填充隔离材料，以形成顶部隔离层；

于所述半导体衬底远离所述正面栅极间隙开口的一表面形成背面栅极间隙，其中，所述背面栅极间隙暴露出所述初始共源线的底部；

于所述背面栅极间隙的内壁形成共源线，以填充所述背面栅极间隙；

其中，于所述半导体衬底远离所述正面栅极间隙开口的一表面形成背面栅极间隙的方法包括：以所述初始共源线为刻蚀停止层，刻蚀所述半导体衬底远离所述正面栅极间隙开口的一表面，以于所述半导体衬底中形成所述背面栅极间隙。

2.根据权利要求1所述的3D NAND存储结构的制备方法，其特征在于，所述隔离材料为具有高抗应力性能的材料，包括：氧化硅、氮化硅或高K介质；其中，所述高k介质包括氧化铝。

3.根据权利要求1所述的3D NAND存储结构的制备方法，其特征在于，于所述正面栅极间隙的内壁形成所述初始共源线之前，所述制备方法还包括：于所述正面栅极间隙的内壁形成初始黏附层的步骤，此时所述初始共源线形成于所述初始黏附层的内壁；

于所述背面栅极间隙的内壁形成所述共源线之前，所述制备方法还包括：于所述背面栅极间隙的内壁形成黏附层的步骤，此时所述共源线形成于所述黏附层的内壁。

4.根据权利要求1所述的3D NAND存储结构的制备方法，其特征在于，于所述正面栅极间隙的内壁形成所述初始共源线之前，所述制备方法还包括：于所述正面栅极间隙的侧壁形成初始隔离层的步骤；

于所述背面栅极间隙的内壁形成所述共源线之前，所述制备方法还包括：于所述背面栅极间隙的侧壁形成隔离层的步骤。

5.根据权利要求4所述的3D NAND存储结构的制备方法，其特征在于，于所述正面栅极间隙的侧壁形成所述初始隔离层的方法包括：于所述正面栅极间隙的内壁形成初始隔离材料层，之后去除形成于所述正面栅极间隙底部的所述初始隔离材料层，以于所述正面栅极间隙的侧壁形成所述初始隔离层；

于所述背面栅极间隙的侧壁形成所述隔离层的方法包括：于所述背面栅极间隙的内壁形成隔离材料层，之后去除形成于所述背面栅极间隙底部的所述隔离材料层，以于所述背面栅极间隙的侧壁形成所述隔离层。

6.根据权利要求1至5任一项所述的3D NAND存储结构的制备方法，其特征在于，所述半导体中间结构还包括：形成于所述半导体衬底和所述叠层结构之间的导电层及形成于所述叠层结构中的沟道结构，所述叠层结构包括交替叠置的栅极层及介质层，所述沟道结构贯穿所述叠层结构并延伸至所述半导体衬底；所述沟道结构包括形成于所述叠层结构中的沟道通孔，依次形成于所述沟道通孔内壁的功能侧壁、沟道层及填充绝缘层，其中部分所述沟道层通过贯穿所述功能侧壁的连通沟道与所述导电层相接触，此时所述半导体中间结构还包括：形成于所述导电层和所述叠层结构之间及所述连通沟道和所述栅极层之间的绝缘层。