[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 202010157036.6 | 申请日: | 2020-03-09 |
公开(公告)号: | CN111668267A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 卢大铉;朴镕盛;奇源章;李东炫;李旻洙;李承傧 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板,包括显示区和非显示区;
金属层,被设置在所述基板的所述非显示区上;
栅绝缘层,覆盖所述金属层和所述基板,其中所述栅绝缘层由无机材料制成;
第一电压线,被设置在所述栅绝缘层上并接收驱动电压;
第二电压线,被设置在所述栅绝缘层上并接收低驱动电压,其中所述低驱动电压低于所述驱动电压;
有机绝缘层,覆盖所述第一电压线和所述第二电压线;以及
阴极电极,被设置在所述有机绝缘层上,
其中所述第二电压线和所述阴极电极通过形成在所述有机绝缘层中的开口彼此电连接,并且
所述第一电压线或所述第二电压线通过形成在所述栅绝缘层中的开口电连接至所述金属层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述第二电压线被设置为围绕所述显示区的四侧,并且
所述第一电压线被设置为在所述非显示区中与所述第二电压线部分重叠。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述有机绝缘层包括:
层间绝缘层,被设置为覆盖设置在所述栅绝缘层上的所述第一电压线;
钝化层,被设置为覆盖设置在所述层间绝缘层上的所述第二电压线;以及
上有机层,被设置在所述钝化层上。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,进一步包括:
第一电压施加连接器,被设置在所述栅绝缘层上;以及
第一电压施加布线,被设置在所述层间绝缘层上,
其中所述第一电压施加布线通过形成在所述层间绝缘层中的开口电连接至所述第一电压施加连接器,
所述第一电压施加连接器通过形成在所述栅绝缘层中的开口电连接至所述金属层,并且
所述第一电压线通过形成在所述栅绝缘层中的开口电连接至所述金属层。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,进一步包括:
阴极电极连接器,被设置在所述钝化层上;以及
第二电压线辅助连接器,被设置在所述栅绝缘层上,
其中所述阴极电极连接器通过形成在所述上有机层中的开口电连接至所述阴极电极,
所述阴极电极被设置在有机发射层上,并且
所述第二电压线辅助连接器通过形成在所述层间绝缘层中的开口电连接至所述第二电压线。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述第二电压线被设置为围绕所述显示区的至少三侧。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述有机绝缘层包括:
层间绝缘层,被设置为覆盖所述栅绝缘层;
钝化层,被设置为覆盖设置在所述层间绝缘层上的所述第二电压线;以及
上有机层,被设置在所述钝化层上。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,进一步包括:
第一电压线辅助连接器,被设置在所述栅绝缘层上,
其中所述第一电压线被设置在所述层间绝缘层上,并且通过形成在所述层间绝缘层中的开口电连接至所述第一电压线辅助连接器。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,进一步包括:
第二电压施加连接器,被设置在所述栅绝缘层上,
第二电压施加布线,被设置在所述层间绝缘层上,
其中所述第二电压施加连接器通过形成在所述栅绝缘层中的开口电连接至所述金属层,并且
所述第二电压施加布线通过形成在所述层间绝缘层中的开口电连接至所述第二电压施加连接器。
10.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板,包括显示区和非显示区;
栅绝缘层,被设置在所述基板上;
第一电压线,被设置在所述栅绝缘层上并接收驱动电压;
无机绝缘层,覆盖所述第一电压线和所述栅绝缘层;
层间绝缘层,被设置在所述无机绝缘层上;
第二电压线,被设置在所述层间绝缘层上并接收低驱动电压,其中所述低驱动电压低于所述驱动电压;
有机绝缘层,被设置在所述第二电压线上;以及
阴极电极,被设置在所述有机绝缘层上,
其中所述第二电压线和所述阴极电极通过形成在所述有机绝缘层中的开口彼此电连接,并且
在平面图中,所述第一电压线和所述第二电压线被设置为在所述非显示区的下部处彼此部分重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的