[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010157147.7 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111341891B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘锐森;蓝文新;刘召忠;林辉;杨小利 | 申请（专利权）人： | 江西新正耀光学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 341700 江西省赣州*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：
衬底；
生长在所述衬底表面的第一AlN层；
位于所述第一AlN层远离所述衬底一侧的第二AlN层；
位于所述第二AlN层远离所述衬底一侧的AlN/AlGaN超晶格应力释放层；
位于所述AlN/AlGaN超晶格应力释放层远离所述衬底一侧的N型AlcGa1-cN欧姆接触层；
位于所述N型AlcGa1-cN欧姆接触层远离所述衬底一侧的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源区；
位于所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源区远离所述衬底一侧的P型AldGa1-dN电子阻挡层；
位于所述P型AldGa1-dN电子阻挡层远离所述衬底一侧的P型GaN欧姆接触层；
其中，所述AlN/AlGaN超晶格应力释放层至少包括第一超晶格和第二超晶格，所述第二超晶格位于所述第一超晶格远离所述衬底的一侧；
所述第一超晶格是由AlN及Al组分渐变的AlaGa1-aN交叠生长m个周期形成的AlN/AlaGa1-aN超晶格，所述第二超晶格是由AlN及Al组分渐变的AlbGa1-bN交叠生长n个周期形成的AlN/AlbGa1-bN超晶格；其中，m≥1、n≥1，所述AlaGa1-aN和所述AlbGa1-bN在每个周期内的生长过程中，Al组分逐渐降低；
或者，所述第一超晶格是由AlN、Al组分渐变的Ala1Ga1-a1N及Al组分恒定的Ala2Ga1-a2N交叠生长m个周期形成的AlN/Ala1Ga1-a1N/Ala2Ga1-a2N超晶格；所述Ala1Ga1-a1N在每个周期内的生长过程中，Al组分由a1降低至a2；所述第二超晶格是由AlN、Al组分渐变的Alb1Ga1-b1N及Al组分恒定的Alb2Ga1-b2N交叠生长n个周期形成的AlN/Alb1Ga1-b1N/Alb2Ga1-b2N超晶格；所述AlbGa1-bN在每个周期内的生长过程中，Al组分由b1降低至b2；其中，m≥1、n≥1；
沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述第一超晶格中每个周期内的AlN的厚度为H1，所述第二超晶格中每个周期内的AlN的厚度为H2，所述第一超晶格中每个周期内的AlGaN的厚度为H3，所述第二超晶格中每个周期内的AlGaN的厚度为H4；其中，H1＞H2，H3＜H4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西新正耀光学研究院有限公司，未经江西新正耀光学研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010157147.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废旧电线回收装置
- 下一篇：一种清洗刷预清洗系统
