[发明专利]一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法有效
| 申请号： | 202010157452.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111398879B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 贾慧娜 |
| 地址： | 730014 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结光致 磁阻 传感器 新方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法,其特征在于包括如下步骤：
1)在n型硅基片上正反两面注入p+和n+离子，形成Si(p+)/Si(n+)结构，利用激光束照射到p-n结的p+区域的侧面，形成磁场，使得磁场垂直于光电流；
2)在开路光电压VOC＝1.1V，短路光电流ISC＝50.0μA，施加光照射p-n结，在磁场H＝+2000Oe和H＝－2000Oe，产生不对称的磁阻效应，当短路光电流ISC50.0μA时，磁阻的不对称性大于当前的磁阻不对称性，最后利用激光照射检测p-n结的磁场修饰IV特性。
2.根据权利要求1所述的一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法,其特征在于所述Si(p+)/Si(n+)结构的上下表面为铜电极，所述铜电极的表面含有至少4个靶，在靶的内侧形成磁场回路，并与之前形成的磁场对靶进行喷射得到。
3.根据权利要求2所述的一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法,其特征在于所述铜电极的厚度为40-60nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法,其特征在于所述Si(p+)和Si(n+)的注入浓度分别为1014atom/cm3和1015atom/cm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学，未经兰州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010157452.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
