[发明专利]一种Mg掺杂Inx

说明书

本发明实施方式公开了一种Mg掺杂In_xAl_1‑xN材料的结构性能测试方法，本方法通过建立In_xAl_1‑xN模型，并将In_xAl_1‑xN分为AlN、In_0.25Al_0.75N、In_0.5Al_0.5N、In_0.75Al_0.25N、InN五个单层模型，将Mg原子替换单层AlN、In_0.25Al_0.75N、In_0.5Al_0.5N、In_0.75Al_0.25N中的Al原子，将Mg原子替换单层In_0.25Al_0.75N、In_0.5Al_0.5N、In_0.75Al_0.25N、lnN中的In原子，分别得到八种单层结构模型，采用计算机软件对In_xAl_1‑xN材料进行计算，分析得出Mg原子掺杂对In_xAl_1‑xN材料稳定性、导电性以及光学性能的影响。本发明通过分别将Mg替位式掺In_xAl_1‑xN材料，制备八种模型相应的晶格构型，检测出Mg掺杂In_xAl_1‑xN的晶格常数、能带结构、态密度结构、复介电函数，以测试Mg掺杂In_xAl_1‑xN材料的稳定性能、导电性能、光学性能，便于In_xAl_1‑xN更好地进行实际的掺杂应用，有效调节或改变In_xAl_1‑xN材料的性能，使In_xAl_1‑xN材料的应用更广。

技术领域

本发明涉及掺杂的In_xAl_1-xN材料结构测试技术领域，尤其涉及一种Mg掺杂In_xAI_1-xN材料的结构性能测试方法。

背景技术

近年来，人们对于In_xAI_1-xN材料的生长、结构以及性能方面进行了广泛的研究，理论中半导体体材料载流子浓度并不高，因此实际应用中常使用掺杂来改变材料的性能，当半导体导电性好时才能更好体现其他良好的性质。已有研究表明Mg原子替换In_xAl_1-xN中的Al原子较其他原子来说具有较高的掺杂效率，但到目前为止，并没有关于Mg掺杂In_xAI_1-xN材料的结构性能测试的方法，因此无法判断Mg掺杂In_xAl_1-xN材料的结构性能。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种Mg掺杂In_xAl_1-xN材料的结构性能测试方法，以解决上述技术问题中提出无法判断Mg掺杂In_xAl_1-xN材料的结构性能的技术问题。

为解决上述问题，本发明实施方式提供一种Mg掺杂In_xAl_1-xN材料的结构性能测试方法，通过以下步骤实现测试：