[发明专利]一种高消光比电光强度调制器

权利要求书

1.一种高消光比电光调制器，其特征在于：包括铌酸锂基片、U型槽光纤固定装置、输入输出光纤以及级联M-Z干涉仪结构；

级联M-Z干涉仪结构包括级联M-Z干涉光波导、直波导、分离的行波电极和偏置电极；其中输入光纤和输出光纤均为熊猫型保偏光纤；U型槽光纤固定装置固定输入光纤和输出光纤，使光纤与波导耦合对接；每一级M-Z干涉仪的分束耦合区采用Y分支波导结构，在两级M-Z干涉仪之间加入直波导；在M-Z干涉仪波导两侧制作共面金属行波电极，设置分离的偏置电极；

在输入光纤与前级M-Z干涉波导输入端定轴对准时，保证输入光纤的慢轴即两个猫眼的连线方向和铌酸锂芯片的光轴对准；光束在前级M-Z干涉波导的传输过程中，保持偏振方向不变，经过级联直波导后进入后级M-Z干涉波导，最终通过U型槽光纤固定装置定轴耦合进输出光纤，定轴原则和输入耦合相同。

2.根据权利要求1所述的高消光比电光调制器，其特征在于：将两个M-Z干涉仪和一段直波导和行波电极集成到一块铌酸锂芯片上。

3.根据权利要求1所述的高消光比电光调制器，其特征在于：级联M-Z干涉光波导采用质子交换工艺铌酸锂光波导。

4.根据权利要求1所述的高消光比电光调制器，其特征在于：铌酸锂芯片采用X切Y传型，光轴沿Z轴；在光纤与波导耦合对接时要保证光纤的慢轴即两个猫眼的连线方向和波导的光轴对准。

5.根据权利要求1所述的高消光比电光调制器，其特征在于：每一级M-Z干涉波导由分束Y分支波导、传输直波导、合束Y分支波导组成，分束Y分支波导弯曲度采用上升余弦函数表示：

Z(y)＝[1-cos(πy/2)]h/2

描绘的弯曲波导，在满足过度区长度L的平方与过度区高度h的比值大于或等于1000，即L²/h≥1000。

6.根据权利要求5所述的高消光比电光调制器，其特征在于：在传输直波导两侧设计对称的行波电极和偏置电极，每组电极包括三个电极：中间的为火线，两侧为接地，M-Z干涉波导和电极组成了一个M-Z强度调制单元；当在火线上施加不同电压时，M-Z强度调制单元的输出光强发生变化，当电压增加到半波电压时，输出光强达到最小值，因此控制偏置电极使M-Z强度调制器单元输出为最低点，在行波电极火线加载电脉冲信号，M-Z强度单元将会输出一个光脉冲，脉冲宽度取决于电脉冲信号，脉冲消光比由M-Z强度调制单元分束比和调制深度决定。