[发明专利]一种检测晶圆缺陷的方法及装置

权利要求书

1.一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；

根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；

判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合格产品；

所述预设范围为所述晶圆的晶面，所述位置信息为坐标值；

所述根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度的步骤，具体包括：

将所述各缺陷的坐标值输入所述预设的计算公式中；

将所述预设的计算公式的输出值作为所述各缺陷的收敛程度；

其中，所述预设的计算公式包括所述n表示所述各缺陷的总数，所述R表示所述晶圆的半径，所述i表示所述各缺陷的序号，所述r_i表示第i个缺陷距离坐标原点的距离，所述μ₁表示所述n个r_i的平均值；所述晶圆上的坐标系包括x轴和y轴，所述坐标原点为所述晶面的中心；所述π表示圆周率，所述θ_i表示第i个缺陷的坐标点至所述坐标原点之间的连线与所述x轴之间的夹角，所述μ₂表示所述n个θ_i的平均值。

2.根据权利要求1所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设阈值包括第一阈值和第二阈值，所述判断所述收敛程度是否大于预设阈值的步骤，包括：

判断所述P₁是否大于所述第一阈值，并且判断所述P₂是否大于所述第二阈值，如果所述P₁小于或等于所述第一阈值，并且所述P₂小于或等于所述第二阈值，则判定所述晶圆为合格产品；否则，判定所述晶圆为不合格产品。

3.根据权利要求1所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设阈值包括第三阈值，所述判断所述收敛程度是否大于预设阈值的步骤，包括：

判断所述P₁与所述P₂之和是否大于所述第三阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合格产品。

4.根据权利要求2所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，当所述晶圆的半径R＝150毫米时，所述第一阈值和所述第二阈值 的取值范围均为[6，8]。

5.根据权利要求1所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息的步骤之前，还包括：

获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的总数；

判断所述总数是否大于预设的限定值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则执行所述获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息的步骤。

6.一种检测晶圆缺陷的装置，其特征在于，所述装置包括：

第一获取模块，用于获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；

计算模块，用于根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；

第一判断模块，用于判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合格产品；

所述预设范围为所述晶圆的晶面，所述位置信息为坐标值；

所述计算模块具体包括：

输入模块，用于将所述各缺陷的坐标值输入所述预设的计算公式中；

输出模块，用于将所述预设的计算公式的输出值作为所述各缺陷的收敛程度；

其中，所述预设的计算公式包括所述n表示所述各缺陷的总数，所述R表示所述晶圆的半径，所述i表示所述各缺陷的序号，所述r_i表示第i个缺陷距离坐标原点的距离，所述μ₁表示所述n个r_i的平均值；所述晶圆上的坐标系包括x轴和y轴，所述坐标原点为所述晶面的中心；所述π表示圆周率，所述θ_i表示第i个缺陷的坐标点至所述坐标原点之间的连线与所述x轴之间的夹角，所述μ₂表示所述n个θ_i的平均值。