[发明专利]带保护环结构的氮化物器件在审
| 申请号： | 202010160226.3 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111326568A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护环 结构 氮化物 器件 | ||
1.一种带保护环的氮化物器件，其特征在于，包括有源区和终端区的氮化物器件结构；
所述氮化物器件结构包括衬底、氮化物缓冲层、外延结构、介质层、漏极、源极、栅极、保护环沟槽和保护环金属；
所述氮化物缓冲层形成在所述衬底上；
所述外延结构包括自下而上依次设置在所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层、氮化物插入层和氮化物势垒层；
所述介质层形成在所述外延结构上；
所述源极形成在所述氮化物势垒层上，且所述源极的底端至少部分嵌入所述氮化物势垒层内部；
所述漏极形成在所述氮化物势垒层上，且所述漏极的底端至少部分嵌入所述氮化物势垒层内部；
所述栅极形成在所述介质层上，且位于所述漏极和所述源极之间；
所述保护环沟槽被设置成完全围绕所述有源区的所述终端区中，且所述保护环沟槽贯穿位于所述氮化物缓冲层上的所述外延结构设置于所述氮化物缓冲层中；
所述保护环金属形成在所述终端区中的所述保护环沟槽中，且所述保护环金属和所述源极电气连接。
2.根据权利要求1所述的一种带保护环的氮化物器件，其特征在于，所述终端区围绕所述有源区，且所述终端区采用刻蚀或局部离子注入工艺使得所述保护环沟槽和所述有源区电气隔离。
3.一种带保护环的氮化物器件，其特征在于，包括有源区和终端区的氮化物器件结构；
所述氮化物器件结构包括衬底、氮化物缓冲层、外延结构、介质层、漏极、源极、栅极、保护环沟槽和保护环金属；
所述氮化物缓冲层形成在所述衬底上；
所述外延结构包括自下而上依次设置在所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层、氮化物插入层、氮化物势垒层和p型氮化物层；
所述介质层形成在所述外延结构上；
所述源极形成在所述氮化物势垒层上，且所述源极的底端至少部分嵌入所述氮化物势垒层内部；
所述漏极形成在所述氮化物势垒层上，且所述漏极的底端至少部分嵌入所述氮化物势垒层内部；
所述栅极形成在所述p型氮化物层上；
所述保护环沟槽被设置成完全围绕所述有源区的所述终端区中，且所述保护环沟槽贯穿位于所述氮化物缓冲层上的所述外延结构设置于所述氮化物缓冲层中；
所述保护环金属形成在所述终端区中的所述保护环沟槽中，且所述保护环金属和所述源极电气连接。
4.根据权利要求3所述的一种带保护环的氮化物器件，其特征在于，所述终端区围绕所述有源区，且所述终端区采用刻蚀或局部离子注入工艺使得所述保护环沟槽和所述有源区电气隔离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶界半导体有限公司，未经苏州晶界半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010160226.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
