[发明专利]一种光纤FA结构及高回损光接收器件在审
申请号: | 202010160365.6 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN111367027A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 钟幸;陈丽琼;闻小波;王一鸣;周纪承;许其建 | 申请(专利权)人: | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 吴静 |
地址: | 430223 湖北省武汉市东湖高*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光纤 fa 结构 高回损光 接收 器件 | ||
1.一种光纤FA结构,其特征在于:包括二氧化硅基板、玻璃盖板和光纤,所述二氧化硅基板上表面具有刻蚀形成的V型槽,且二氧化硅基板的一端面具有全反射斜面,该全反射斜面的倾斜角α为41±0.5°,所述光纤置于V型槽内,所述玻璃盖板覆盖部分光纤,且玻璃盖板位于远离全反射斜面一端。
2.如权利要求1所述的一种光纤FA结构,其特征在于:所述二氧化硅基板上的V型槽为一个或多个,且多个V型槽平行并排布置。
3.如权利要求1所述的一种光纤FA结构,其特征在于:所述光纤包括光纤包层段和无包层段,所述光纤包层段为光纤的光输出端,所述玻璃盖板覆盖于光纤的无包层段。
4.一种高回损光接收器件,其特征在于:包括权利要求1~3任一项所述的光纤FA结构,用于光电转换的光电探测器以及接收组件;所述光电探测器包括光电探测PD芯片和设置在光电探测PD芯片上表面的聚焦透镜,所述光电探测PD芯片上表面具有电极和有效光探测面,所述聚焦透镜的通光孔中心与所述光电探测PD芯片的有效光探测面中心在纵向上错位且在横向上对齐布置,所述光电探测器与所述接收组件通过电连接金线导通。
5.如权利要求4所述的一种高回损光接收器件,其特征在于:所述聚焦透镜为硅材质,且聚焦透镜的折射率为3.2~3.5。
6.如权利要求4所述的一种高回损光接收器件,其特征在于:所述聚焦透镜表面镀有与工作波长对应的增透膜。
7.如权利要求4所述的一种高回损光接收器件,其特征在于:所述聚焦透镜与光电探测PD芯片之间通过与其折射率匹配的胶水层连接,所述胶水层厚度为10~20μm。
8.如权利要求4所述的一种高回损光接收器件,其特征在于:所述聚焦透镜的两侧点有绝缘的焊盘保护胶,所述焊盘保护胶的折射率为2~3。
9.如权利要求4所述的一种高回损光接收器件,其特征在于:所述接收组件包括COC基座和PCB板一,所述光纤FA结构和光电探测器均设置在COC基座上,所述PCB板一位于靠近COC基座上光电探测器的一端,且PCB板一与光电探测器的电极通过电连接金线连接。
10.如权利要求4所述的一种高回损光接收器件,其特征在于:所述接收组件包括PCB板二,所述光纤FA结构和光电探测器均设置在该PCB板二上,所述光电探测器的电极通过电连接金线与PCB板二连接。
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