[发明专利]厚度分布均匀的膜层形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底中具有用于形成膜层的不平坦表面；

采用原位水汽生长工艺于第一温度下形成第一子层于所述不平坦表面；

采用原位水汽生长工艺于第二温度下形成第二子层于所述第一子层表面，所述膜层至少包括所述第一子层和所述第二子层，所述第二温度高于所述第一温度。

2.根据权利要求1所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，所述衬底内具有沟槽，所述不平坦表面为所述沟槽的内壁；采用原位水汽生长工艺于第一温度下形成第一子层于所述不平坦表面的具体步骤包括：

通入反应气体至容纳所述衬底的反应腔室内；

升高所述反应腔室内的温度至所述第一温度，于所述沟槽的内壁表面形成所述第一子层，位于所述沟槽的侧壁与所述沟槽的底壁的所述第一子层的厚度相同。

3.根据权利要求2所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，所述第一子层的厚度为0.5nm～2nm。

4.根据权利要求2所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，采用原位水汽生长工艺于第二温度下形成第二子层于所述第一子层表面的具体步骤包括：

继续通入所述反应气体并升高所述反应腔室内的温度至所述第二温度，形成覆盖于所述第一子层表面的所述第二子层，位于所述第一子层侧面的所述第二子层与位于所述第一子层底面的所述第二子层的厚度相同。

5.根据权利要求2所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，未形成所述第一子层之前的所述沟槽的第一特征尺寸为12nm～40nm；

形成所述第一子层之后的所述沟槽的第二特征尺寸为11nm～40nm，且所述第一特征尺寸大于所述第二特征尺寸；

形成所述第二子层之后的所述沟槽的第三特征尺寸为11nm～40nm，且所述第二特征尺寸大于所述第三特征尺寸。

6.根据权利要求2所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，未形成所述第一子层之前的所述沟槽的第一深度为110nm～280nm；

形成所述第一子层之后的所述沟槽的第二深度为110nm～280nm，且所述第一深度大于所述第二深度；

形成所述第二子层之后的所述沟槽的第三深度为110nm～280nm，且所述第二深度大于所述第三深度。

7.根据权利要求1所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，所述第一子层的厚度小于或者等于所述第二子层的厚度。

8.根据权利要求1所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，所述第一温度不超过750℃，且所述第二温度不低于1000℃。

9.根据权利要求1所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，所述第一温度下形成所述第一子层过程中的反应气体流量和/或反应时间与所述第二温度下形成所述第二子层过程中的反应气体流量和/或反应时间不同。

10.根据权利要求1所述的厚度分布均匀的膜层形成方法，其特征在于，还包括如下步骤：

停止通入反应气体，对所述不平坦表面形成的所述膜层进行高温退火处理。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中具有不平坦表面；

膜层，位于所述不平坦表面，所述膜层采用如权利要求1-10中任一项所述的厚度分布均匀的膜层形成方法形成。