[发明专利]运算装置在审
申请号: | 202010160668.8 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN112101533A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 佐藤利江;水岛公一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06N3/06 | 分类号: | G06N3/06;G06N3/063 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张洁;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算 装置 | ||
1.一种运算装置,
具备运算电路,所述运算电路包括:
存储部,其包括多个存储区域;以及
运算部,
所述多个存储区域中的一个存储区域包括:
电容,其包括第1端子;以及
第1电气电路,其与所述第1端子电连接,能够输出与所述第1端子的电位相应的电压信号。
2.根据权利要求1所述的运算装置,
所述电容包括:
第1导电型的第1半导体层;
所述第1导电型的第2半导体层;以及
设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的第2导电型的第3半导体层,
所述第2半导体层中的所述第1导电型的杂质的浓度比所述第1半导体层中的所述第1导电型的所述杂质的浓度高。
3.根据权利要求1所述的运算装置,
所述存储部包括第1布线,
所述多个存储区域中的所述一个存储区域还包括第1晶体管,
所述第1晶体管包括第1栅、第1端部和第2端部,
所述第1栅与所述第1布线电连接,
所述第1端部与所述第1端子电连接,
所述第2端部与所述第1电气电路电连接。
4.根据权利要求3所述的运算装置,
所述第1晶体管包括第1半导体区域,
所述第1半导体区域包含铟、镓和锌中的至少任一方以及氧。
5.根据权利要求3所述的运算装置,
所述存储部还包括第2布线和第3布线,
所述第1电气电路包括第2晶体管和第3晶体管,
所述第2晶体管包括第2栅、第3端部和第4端部,
所述第3晶体管包括第3栅、第5端部和第6端部,
所述第2栅与所述第2端部电连接,
所述第3端部与所述第5端部电连接,
所述第4端部设定为第1电位,
所述第3栅与所述第2布线电连接,
所述第6端部与所述第3布线电连接。
6.根据权利要求5所述的运算装置,
所述第1晶体管包括第1半导体区域,
所述第2晶体管包括第2半导体区域,
所述第3晶体管包括第3半导体区域,
所述第1半导体区域包含铟、镓和锌中的至少任一方以及氧,
所述第2半导体区域和所述第3半导体区域中的至少任一方包含硅。
7.根据权利要求4所述的运算装置,
所述运算电路包括与所述电容重叠的光衰减部件,
所述光衰减部件的透光率比所述第1半导体区域的透光率低。
8.根据权利要求1所述的运算装置,
所述运算部包括:
乘加运算电路,其对存储于所述存储部的第1变量组和第2变量组进行乘加运算;以及
非线性变换电路,其对所述乘加运算电路的输出进行非线性变换。
9.根据权利要求8所述的运算装置,
所述乘加运算电路包括模拟运算器。
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