[发明专利]一种碳包覆铜纳米线的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010160705.5 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN111540535A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 张晟卯;范淑光;张玉娟;高传平;张平余;张治军 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/18;H01B1/24;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 杨海霞
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳包覆铜 纳米 制备 方法
【说明书】:

发明属于纳米材料制备技术领域,公开一种碳包覆铜纳米线的制备方法,包括以下步骤:(1)将铜纳米线分散于水中,形成浓度为0.01‑0.1 mol/L的分散液;(2)向分散液中加入浓度为0.05‑1.2 mol/L的有机碳源葡萄糖,充分混合均匀;(3)在密闭条件下,于100‑200℃搅拌反应5‑24 h,反应结束后,自然冷却至室温,产物经洗涤、烘干,即得碳包覆铜纳米线。本发明方法工艺简单,成本低廉,绿色环保,适用性广,易实现大批量生产;所制备的碳包覆铜纳米线具有良好的抗氧化性,且包覆厚度可调。

技术领域

本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种碳包覆铜纳米线的制备方法。

背景技术

铜纳米线由于具有独特的光学、电学、力学和热学性质而成为制备导电电极的优良材料。铜价格低廉、自然储量丰富,是实际应用中替代贵金属的理想材料。但由于单质铜非常容易被氧化,这成为应用中亟需解决的关键问题。在所有金属中,铜的导热系数和导电性仅次于银,并且对碳的结合能较低。因此,用非晶碳包覆铜纳米线拓宽了纳米线的应用领域,从而赋予其新的物理、化学和力学性能,这种结构在异质催化、电化学传感、摩擦学、太阳能电池及柔韧电子器件等领域具有广泛应用。

碳异质结构材料主要采用化学气相沉积法合成,其主要挑战是结晶性差、产率低、工艺复杂以及添加了有机和无机碳源的盐溶液。水热法合成碳包覆铜纳米线多采用一步合成异质结构,但是该方法制备的产品存在结构不均一、产率低、成本高、引入多种杂离子等缺陷。因此,亟待研究开发结构均一、成本低廉且不引入多种杂质的碳包覆铜纳米线制备方法。

发明内容

本发明目的在于克服现有技术缺陷,提供一种碳包覆铜纳米线的制备方法,该制备方法成本低廉且不引入多种杂质,制备出来的碳包覆铜纳米线为包覆均匀的核壳结构材料,同时具有良好的抗氧化性。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

一种碳包覆铜纳米线的制备方法,其包括以下步骤:

1)将铜纳米线分散于水中,形成浓度为0.01-0.1 mol/L的分散液;

2)向分散液中加入有机碳源葡萄糖,混合均匀;

3)在密闭条件下,于100-200℃搅拌反应5-24 h,反应结束后,自然冷却至室温,产物经洗涤、烘干,即得碳包覆铜纳米线。

本发明可以通过铜纳米线的结构来调整碳包覆铜纳米线的结构:包覆铜纳米线的长径比主要由原材料铜纳米线的结构所控制,此方法适用于零维、一维等材料的碳包覆。

具体的,步骤2)中,有机碳源葡萄糖的加入浓度优选为0.05-1.2 mol/L。通过控制碳源的浓度,即可有效调整铜纳米线表面包覆碳的厚度:当碳源浓度较低时包覆的碳厚度较薄,随着碳源浓度在0.05-1.2 mol/L之间逐渐增加,包覆的碳厚度逐渐增加,当碳源浓度过高时,碳源多数自聚碳化成碳球。

步骤2)中,通过控制反应温度和反应时间来调控包覆碳的厚度:当反应温度为100-200℃时在铜纳米线表面有碳的包覆,且随着温度的升高包覆碳的厚度逐渐增加;当反应时间为5-24 h,铜纳米线表面有碳的包覆,且随着反应时间增长包覆碳的厚度越大。

具体的,步骤3)中搅拌反应时,搅拌速度为100-300 rpm。

具体的,步骤3)中洗涤时,依次用去离子水、无水乙醇洗涤。

具体的,步骤3)烘干条件为:于60℃烘5-6h。

本发明提供了采用上述制备方法制备获得的碳包覆铜纳米线。

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