[发明专利]摄像元件和摄像装置在审
申请号: | 202010160725.2 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN111430385A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 野村宏利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/105;G01B11/14;G01J5/00;G01J5/10;G01S3/781;G01S3/783 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈睆;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
1.一种摄像元件,其包括:
第一像素和第二像素,所述第一像素和所述第二像素均包括受光部和聚光部,所述受光部包括光电转换元件,且所述聚光部被构造成使得入射光能够朝着所述受光部聚集;
沟槽,所述沟槽被设置于所述第一像素与所述第二像素之间;
第一遮光膜,所述第一遮光膜被埋入所述沟槽中;以及
第二遮光膜,所述第二遮光膜被设置于所述第二像素的所述受光部的受光表面的一部分处,且所述第二遮光膜是与所述第一遮光膜连续的。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其中所述第二遮光膜被设置于所述第二像素的所述受光部的所述受光表面上。
3.根据权利要求1所述的摄像元件,其中所述第二遮光膜被埋入所述第二像素的所述受光部中。
4.根据权利要求1所述的摄像元件,其中所述第一像素和所述第二像素能够让各自的入射光聚集在沿深度方向的相同水平面处。
5.根据权利要求1所述的摄像元件,其中所述受光部包括n型半导体区域和p型半导体区域,所述n型半导体区域充当所述光电转换元件,且所述p型半导体区域被设置于所述受光表面上且从所述沟槽的壁表面延伸到所述沟槽的底面。
6.根据权利要求5所述的摄像元件,其中所述受光部的所述受光表面及所述沟槽的所述壁表面和所述底面被连续的固定电荷膜覆盖着。
7.根据权利要求1所述的摄像元件,其包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括所述第一像素和所述第二像素,且所述第二区域被设置于所述第一区域的周围且被第三遮光膜遮光,其中所述第三遮光膜由与所述第二遮光膜的材料相同的材料形成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像元件,其中所述聚光部包括充当光学功能层的透镜,且所述第一像素中的所述透镜与所述第二像素中的所述透镜具有相同形状。
9.根据权利要求8所述的摄像元件,其中所述第一像素的所述受光部和所述第二像素的所述受光部均面向所述透镜。
10.根据权利要求8所述的摄像元件,其还包括内部透镜,所述内部透镜被设置于所述透镜与所述受光部之间。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像元件,其中所述聚光部包括红色、绿色、蓝色或白色滤光片。
12.根据权利要求11所述的摄像元件,其中所述第二像素的所述聚光部包括绿色或白色滤光片。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像元件,其中所述第一像素和所述第二像素充当被设置成彼此相邻的成像面相位差检测像素。
14.一种摄像装置,其设置有如权利要求1至13中任一项所述的摄像元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的