[发明专利]反应腔室有效
申请号: | 202010161690.4 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN111364022B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | 何中凯;荣延栋 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;H01L21/768;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;魏艳新 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 | ||
1.一种反应腔室,包括:腔体和设置在所述腔体内的基座,所述基座包括用于承载基片的承载部和环绕所述承载部的边缘部,所述承载部的上表面的高度大于所述边缘部的上表面的高度,其特征在于,所述反应腔室还包括第一挡环和第二挡环,其中:
所述第一挡环设置在所述边缘部的上表面且环绕所述承载部设置,且所述承载部的上表面高于所述第一挡环的上表面,以降低所述第二挡环的高度,增加所述第二挡环与所述反应腔室顶部之间的排气流道的尺寸;
所述第二挡环设置在所述第一挡环背离所述边缘部的一侧,且包括:本体部和设置在所述本体部远离所述第一挡环一侧的遮挡部,所述遮挡部突出于所述第二挡环靠近所述承载部的表面,所述遮挡部用于遮挡所述基片的边缘。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述遮挡部的下表面与所述承载部的上表面之间具有第一预设竖直间距。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述本体部的上表面与所述承载部的上表面之间具有第二预设竖直间距,且所述第二预设竖直间距小于或等于所述第一预设竖直间距。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述遮挡部包括沿靠近所述承载部的方向依次设置的:内环部、平坦部和外环部;
沿靠近所述承载部的方向,所述内环部的厚度逐渐减小,所述外环部的厚度逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,所述遮挡部平行于所述第二挡环径向的纵截面为梯形。
6.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,所述内环部、所述外环部和所述平坦部沿所述第二挡环的径向尺寸相同。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述第一挡环和所述第二挡环同轴设置。
8.根据权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述第二挡环的本体部的厚度在2mm至8 mm之间,所述遮挡部的厚度在0.7mm至2.7mm之间。
9.根据权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述第二挡环的本体部和所述遮挡部形成为一体结构。
10.根据权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室为化学气相沉积腔室,且所述腔体的顶壁上设置有进气通道,所述腔体的侧壁上设置有排气通道。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的