[发明专利]三维存储器制造方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器制造方法，其特征在于，包括：

形成半导体结构，所述半导体结构包括依次堆叠设置的第一基底、牺牲层以及堆栈结构；所述堆栈结构包括交替设置的绝缘层和过渡层；且各所述过渡层中、靠近所述牺牲层的多个所述过渡层为由阻挡材料构成的刻蚀停止层；且所述堆栈结构中设置有底部位于所述刻蚀停止层的第一结构孔；

去除位于所述第一结构孔底部的所述刻蚀停止层，并暴露位于所述刻蚀停止层底部的所述绝缘层；

将所述第一结构孔底部进一步延伸至所述牺牲层中；

去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；

在所述牺牲间隙中形成第二基底，且所述第一结构孔的底部位于所述第二基底中；

在所述第一结构孔中形成公共源极触点。

2.根据权利要求1所述的三维存储器制造方法，其特征在于，所述形成半导体结构的步骤包括：

在所述第一基底上形成所述牺牲层；

在所述牺牲层上交替堆叠绝缘层和过渡层，以形成所述堆栈结构；

在所述堆栈结构中形成底部位于所述刻蚀停止层的所述第一结构孔。

3.根据权利要求2所述的三维存储器制造方法，其特征在于，所述在所述牺牲层上交替堆叠绝缘层和过渡层的步骤包括：

在所述牺牲层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上进一步交替堆叠形成其余的所述绝缘层和所述过渡层。

4.根据权利要求2所述的三维存储器制造方法，其特征在于，

所述在所述堆栈结构中形成底部位于所述刻蚀停止层的所述第一结构孔的步骤之前，还包括：

在所述堆栈结构中形成沟道结构，所述沟道结构贯穿所述堆栈结构并延伸至所述第一基底中；

且所述去除所述牺牲层的步骤具体包括：去除所述牺牲层以及位于所述牺牲层中的部分沟道结构，以形成所述牺牲间隙。

5.根据权利要求4所述的三维存储器制造方法，其特征在于，所述在所述堆栈结构中形成沟道结构的步骤包括：

在所述堆栈结构中形成沟道孔，所述沟道孔贯穿所述堆栈结构及所述牺牲层，并沿延伸至所述第一基底中；

在所述沟道孔内依次堆叠形成功能层及沟道层。

6.根据权利要求5所述的三维存储器制造方法，其特征在于，所述在所述半导体结构中形成沟道孔的步骤包括：

在所述堆栈结构上形成第二结构孔，所述第二结构孔孔底停止于所述刻蚀停止层中；

去除位于所述第二结构孔底部的所述刻蚀停止层，并暴露位于所述刻蚀停止层底部的所述绝缘层；

将所述第二结构孔底部进一步延伸至所述第一基底中，以形成所述沟道孔。

7.根据权利要求5所述的三维存储器制造方法，其特征在于，所述在所述沟道孔内依次堆叠形成功能层及沟道层的步骤包括：

在所述沟道孔内依次堆叠形成阻隔层、存储层和隧穿绝缘层；

在所述隧穿绝缘层上堆叠形成所述沟道层。

8.根据权利要求2-7任一项所述的三维存储器制造方法，其特征在于，

所述在所述堆栈结构中形成底部位于所述刻蚀停止层的所述第一结构孔的步骤包括：

刻蚀去除所述刻蚀停止层顶部的绝缘层和过渡层，以将所述第一结构孔的孔底停止于所述刻蚀停止层；其中，构成所述绝缘层的材料、以及构成除所述刻蚀停止层外的其余所述过渡层的材料均相对于所述阻挡材料具有高刻蚀选择比。

9.根据权利要求1-7任一项所述的三维存储器制造方法，其特征在于，

所述去除位于所述第一结构孔底部的所述刻蚀停止层的步骤包括：

采用湿法刻蚀去除位于所述第一结构孔底部的所述刻蚀停止层。