[发明专利]一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法与应用有效
申请号: | 202010162263.8 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN111348684B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 王炳山;李小红;余金保 | 申请(专利权)人: | 景德镇学院 |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02;B01J23/30 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 王敏 |
地址: | 333032 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正交 晶系 层状 氧化钨 制备 方法 应用 | ||
1.一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)利用质子化的阳离子交换树脂去除钨酸盐溶液中金属阳离子杂质,获得高纯溶胶;
(2)往步骤(1)获得的高纯溶胶中加入形貌控制剂,随后水热合成反应,冷却、过滤并常压干燥,获得正交晶系层状水合三氧化钨:
(3)将步骤(2)得到的正交晶系层状水合三氧化钨微波煅烧,即制得正交晶系层状三氧化钨;
所述步骤(1)中的钨酸盐溶液至少为Na2WO4·2H20、K2WO4·2H20中的一种,且所述钨酸盐溶液的浓度为0.1~0.3mol/L,离子交换时间≥30min;
所述步骤(2)中,形貌控制剂为PVP即聚乙烯吡咯烷酮K30,所述形貌控制剂与所述钨酸盐溶液的质量比为1:(2~5);
所述步骤(2)中,水热合成反应温度为130℃~180℃,反应时间为12~24h;
所述步骤(3)中的煅烧工艺:300℃前升温速率6℃/min,300℃~570℃间升温速率10℃/min,后于570℃恒温保持2h。
2.一种如权利要求1所述的方法制备的正交晶系层状三氧化钨在气体传感器与催化领域中的应用。
3.根据权利要求2所述的一种正交晶系层状三氧化钨的应用,其特征在于,还包括:所述正交晶系层状三氧化钨在光电化学和变色器件中的应用。
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