[发明专利]一种太阳能电池片制备用硅片去除磷硅玻璃酸洗装置在审

专利信息
申请号: 202010162896.9 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN111354662A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 汤叶华;徐永锋;王孟;施成军 申请(专利权)人: 南通欧贝黎新能源电力股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L31/18
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 蒋路帆
地址: 226600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制备 硅片 去除 玻璃 酸洗 装置
【说明书】:

发明公开了一种太阳能电池片制备用硅片去除磷硅玻璃酸洗装置,属于太阳能电池片制备技术领域,一种太阳能电池片制备用硅片去除磷硅玻璃酸洗装置,通过酸洗箱与腐蚀酸制备箱的配合,可事先对氢氟酸溶液进行分散处理并进行存储,当装有硅片的清洗篮置于清洗槽后,通过固定机构对清洗篮进行固定,密封板对酸洗箱进行密封,再将腐蚀酸制备箱内的氢氟酸溶液导入其内,在放置硅片时,技术人员不会接触到氢氟酸溶液,起到保护作用,在进行酸洗时,清洗篮随旋转电机进行旋转,易于提高氢氟酸溶液对硅片的酸洗冲击力,从而有利于提高对硅片上的磷硅玻璃去除效率,且在酸洗过程中将反应产生的气态四氟化硅导入至气体过滤池内,易于对有毒气体进行处理。

技术领域

本发明涉及太阳能电池片制备技术领域,更具体地说,涉及一种太阳能电池片制备用硅片去除磷硅玻璃酸洗装置。

背景技术

太阳能电池片生产制造过程中,太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测—表面制绒—扩散制结—去磷硅玻璃—等离子刻蚀—镀减反射膜—丝网印刷—快速烧结等工艺流程。

其中去磷硅玻璃为一个非要重要的工艺流程,由于在磷扩散过程中,硅片表面会形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃(PSG)。所形成的磷硅玻璃增加了发射区电子的复合,导致少子寿命降低;在空气中容易受潮,导致电流降低和功率衰减;磷硅玻璃也容易使PECVD镀膜后产生色差,这就需要对硅片表面的磷硅玻璃进行去除,去磷硅玻璃工艺最常见通过化学腐蚀法对硅片上的磷硅玻璃进行去除,具体操作为将硅片在氢氟酸溶液中浸泡。

目前,一般是将待处理的硅片放置于盛装有氢氟酸溶液的清洗槽内,使其产生化学反应生成可溶性的络和六氟硅酸,硅片在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,而这种简单的清酸洗操作其酸洗效率还有待提高;同时由于氢氟酸溶液具有一定的腐蚀性,不易于技术人员简便操作;此外,氢氟酸溶液与磷硅玻璃反应后会生成气态的四氟化硅,具有毒性,故在去除磷硅玻璃时对气态的四氟化硅收集以及处理具有一定的必要性。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种太阳能电池片制备用硅片去除磷硅玻璃酸洗装置,通过酸洗箱与腐蚀酸制备箱的配合,可事先对氢氟酸溶液进行分散处理并进行存储,当装有硅片的清洗篮放置于酸洗箱内的清洗槽后,通过旋转电机驱动端的固定机构与清洗篮进行固定,密封板对第二防护箱的开口处进行密封后,再将腐蚀酸制备箱内的氢氟酸溶液导入酸洗箱内,在放置硅片时,技术人员不会接触到具有腐蚀性的氢氟酸溶液,对技术人员起到保护作用,同时也简化了操作,在进行酸洗时,清洗篮随旋转电机进行旋转操作,易于提高氢氟酸溶液对硅片的清洗冲击力,从而有利于提高对硅片上的磷硅玻璃去除效率以及彻底性,此外,在酸洗过程中将反应产生的气态四氟化硅导入至气体过滤池内,易于对有毒气体进行处理。

2.技术方案

为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。

一种太阳能电池片制备用硅片去除磷硅玻璃酸洗装置,包括操作台和固定安装于操作台上端前侧的酸洗箱,所述酸洗箱内部开设有多个清洗槽,相邻两个所述清洗槽之间通过多个通孔相连通,所述操作台的上端后侧固定安装有腐蚀酸制备箱,所述腐蚀酸制备箱位于酸洗箱的侧上方,所述腐蚀酸制备箱的底端沿其水平方向固定连接有多个带有电磁阀的连通管,多个所述连通管的底端分别与多个清洗槽的内壁相连通,所述腐蚀酸制备箱的顶端固定连接有带有进料口的第一防护箱,所述酸洗箱上固定安装有前侧带有开口的第二防护箱,所述操作台的前端固定连接有对开口进行密封的密封机构,多个所述清洗槽内均套设有清洗篮,所述第二防护箱的顶端沿其水平方向固定安装有多个与清洗槽位置对应的旋转电机,多个所述旋转电机的驱动端贯穿第二防护箱的顶端并固定连接有对清洗篮进行固定的固定机构,所述操作台的一侧设有气体过滤池,所述第一防护箱和第二防护箱的侧壁上分别固定连接有第一导气管和第二导气管,且第一导气管和第二导气管的底端均延伸至气体过滤池内。

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