[发明专利]一种等离子清洗装置

说明书

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种等离子清洗装置。其包括清洗腔室，和与所述清洗腔室连通的气源装置，所述气源装置向所述清洗腔室内通入洁净气体，使所述清洗腔室处于正压状态，避免外部环境污染物进入到所述清洗腔室内，实现清洗腔室内微环境控制，保持等离子工艺腔室内的洁净度等级，达到避免清洗件等离子清洗后二次污染，提高等离子清洗工艺效果。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种等离子清洗装置。

背景技术

集成电路制造工艺过程通常是指将导体、半导体、绝缘层以一定的工艺顺序沉积在特定的基板上(如硅基晶圆)。在制造工艺过程中，CMP(化学机械抛光)设备主要用于对晶圆在膜沉积工艺后的微观粗糙表面进行全局平坦化处理，以便进行后续的半导体工艺过程。使用CMP完成晶圆表面平整后还需要对晶圆表面进行清洗，以去除研磨过程中的各种微小颗粒。现有清洗工艺，可使用等离子清洗工艺，即利用物质的等离子态通过物理、化学作用对基板表面的脏污颗粒进行清洗，等离子清洗一般可通过能量、温度及清洗时间等参数确定等离子清洗的工艺效果。现有技术的等离子清洗装置，一般采用开放式腔体或真空腔体，对于洁净度要求不高的场合，在开放式腔体或真空腔体中等离子清洗即可对污染物进行很好的去除。对于半导体元件产品级别的污染物控制，一般对污染物的颗粒粒径有着严格的要求，如0.1μm≤1颗@1m³，因此，即使通过等离子的清洗作用可去除晶圆表面的脏污，但是由于等离子的清洗腔室依然存在一些潜在的污染，会出现清洗失效的问题。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有等离子清洗设备会出现清洗失效的问题，提供一种清洗效果更好的等离子清洗装置。

为解决上述问题，本发明的等离子清洗装置，包括清洗腔室，和与所述清洗腔室连通的气源装置，所述气源装置向所述清洗腔室内通入洁净气体，使所述清洗腔室处于正压状态。

其中，所述清洗腔室内设置有两个电极板和支撑支架，所述电极板和所述支撑支架在所述气源装置上的投影位于所述气源装置的出风口内。

其中，所述气源装置为具有超高效过滤器的风机过滤机组A。

其中，所述风机过滤机组A包括壳体，设置在所述壳体两侧的入风口和出风口，所述入风口处设置有预过滤器，所述出风口处设置有所述超高效过滤器，在所述预过滤器和所述超高效过滤器之间设置有风机。

其中，所述风机为离心式风机。

其中，所述支撑支架竖向设置，所述气源装置设置在所述清洗腔室的上侧。

其中，还包括设置在所述清洗腔室侧壁上的工艺气体入口，所述工艺气体入口位于所述支撑支架设置清洗件的背面一侧。

其中，还包括设置在所述清洗腔室侧壁上的工艺气体出口，所述工艺气体出口位于所述支撑支架设置清洗件的一面和一所述电极板之间。

其中，所述出风口和所述工艺气体出口分别位于所述清洗腔室的两侧。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明的等离子清洗装置，包括清洗腔室，和与所述清洗腔室连通的气源装置，所述气源装置向所述清洗腔室内通入洁净气体，使所述清洗腔室处于正压状态，避免外部环境污染物进入到所述清洗腔室内，实现清洗腔室内微环境控制，保持等离子工艺腔室内的洁净度等级，达到避免清洗件等离子清洗后二次污染，提高等离子清洗工艺效果。

2.本发明的等离子清洗装置，所述电极板和所述支撑支架在所述气源装置上的投影位于所述气源装置的出风口内，能够避免所述电极板和所述支撑支架对气源装置的吹扫的阻挡，也可以避免气源装置吹扫过程中对支撑支架上清洗件的损坏等影响。

3.本发明的等离子清洗装置，超高效过滤器能够对进入到所述清洗腔室内的气体进行微小颗粒过滤，避免存在的微小颗粒对等离子清洗后的清洗件造成的二次污染。